３元混晶半導体について

質問

InGaN半導体について勉強しています。
組成不均一によるポテンシャルの揺らぎについて勉強していると「発光寿命」という言葉がでてきました。
キャリアは低エネルギー側ほど安定のため発光寿命が長く、高エネルギー側だと不安定なため、低エネルギー側に遷移する確率が高く発光寿命が短いとあり、この文がよく理解できません。
発光寿命とはなんなのでしょうか？
電子と正孔の再結合のしやすさですか？

回答No.2

semikuma

レーザや光増幅器にするためには、発光寿命が長いことが必要です。
と言うと逆のような感じを受けますが、誘導放出させるためには反転分布状態を保たねばならないので、発光寿命が短いとキャリアがすぐ再結合してしまい、効率が悪くなってしまいます。
またそのときの自然放出光はノイズとなり、特性を悪くします。

回答No.1

semikuma

電子の励起状態から、単位時間当たりに基底状態に落ちて(正孔と再結合して)発光する確率(時間分の1)の逆数(時間)です。
例えば蛍光灯の内部に塗ってある蛍光体は発光寿命が短いので、電源を切って放電をやめればすぐ発光が止まります。
逆に発光寿命の長いものはりん光といい、目覚まし時計の夜光塗料などに用いられます。

参考URL：

http://ja.wikipedia.org/wiki/%E8%9B%8D%E5%85%89