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タイトルのように、半導体における光の取り出し量の計算方法がわかりません。 たとえば参考URLのページにはGaNからの光の取り出せる量は全体の4%程度と書いてありますが、これは臨界角𝜽=𝐬𝐢𝐧^(－𝟏)(𝒏_𝒂𝒊𝒓∕𝒏_𝑮𝒂𝑵 )=23°からなどから計算できるのでしょうか？ ネットで調べたところ、立体角などを考慮するようですが… 具体的な計算式などを教えていただけたら助かります。 参考URL http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2010/pr20100318/pr20100318.html

電磁気学2007年度第14回 ttp://www.phys.u-ryukyu.ac.jp/~maeno/cgi-bin/pukiwiki/index.php?%C5%C5%BC%A7%B5%A4%B3%D82007%C7%AF%C5%D9%C2%E814%B2%F3 このサイトの、「3.7.2 電気力線は混雑を避ける→電場の圧力」にある、U=ε/2 |ES|^2 L/Sって、どうやって導き出したのでしょうか？ 電気力線N=ESは一定だから、 U=ε/2 ∫|E|^2 dxdydz=ε/2 |ES|^2 ∫S^-2 dSdz=-ε/2 |ES|^2 L/S で、Uはマイナスになってしまいます。

エネルギー等分配則は何に由来する法則なのでしょうか． 直感的にはエントロピー増大が本質なのかと思ったのですが，どうでしょうか．

エネルギー等分配則は何に由来する法則なのでしょうか． 直感的にはエントロピー増大が本質なのかと思ったのですが，どうでしょうか．

|k>=(1/√2π)∫dx・e^(ikx)|x> 　　範囲[-∞,∞] と基底ケット|k>を定義する。この時、|k>が規格化直交条件を満たす事を示せ。ただし<x'|x>=δ(x'-x)＿＿(1)と、(1/2π)∫dx・e^{i(k-k')x}=δ(k-k')＿＿(2)の関係を利用してよい。 上の問題を解く場合、|k>のエルミート共役は<k'|=(1/√2π)∫dx'・e^(-ik'x')<x'|　だから <k'|k>=(1/2π)∫dx'・e^(-ik'x')<x'|・∫dx・e^(ikx)|x> となり、計算すると<k'|k>=(1/2π)∫dx・e^(ikx-ik'x') となりました。しかし本当なら(1/2π)∫dx・e^{i(k-k')x}となって(2)式の関係を使って答えへ導くのだと思います。こういう時は勝手にx'→xとおいて良いのでしょうか。そもそもエルミート共役をとる時にダッシュ記号(')を付けて区別する理由がよく分かりません。また教科書は完全性条件では∫dx・|x><x|=1とダッシュを付けていないのに対し、規格化直交条件では<x'|x>=δ(x'-x)とダッシュを付けているという違いにもピンときません。 どなたかご教授お願いします。