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再 バイアス回路についての質問です。
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前の質問を削除してもいいようにこちらにも転記しておきますね。 こんにちは。 +電源~ドレイン抵抗~ドレイン~ソース~ソース抵抗~ー電源 の回路と +電源~ゲート抵抗1~ゲート抵抗2~-電源 という二つの回路を分けて考えただけです。 このFETはMOS-FETなので、ゲート~ソース、ゲート~ドレインにはナノ~ピコアンペアレベルのごくわずかな電流しか流れないので、ほぼ絶縁されていると考えて差し支えありません。 トランジスタのようにベースからエミッタに電流が流れる素子では直接この様に扱う事は出来ません。 また、この回路は、同じように入力電極~出力電極(グリッド~カソード、グリッド~プレート)がほぼ絶縁されている真空管にも当てはまります、というより、真空管で用いられていた理論をMOS-FETに当てはめたものです。 もうちょっと補足すると、bの回路では電源が二つになってますが、「どうせ、ほぼ絶縁されてるのだから、それぞれ別々に電源がつながってると思って問題ない」という事です。 それぞれの抵抗に分岐した電流がお互いに途中で混ざることはないですから。
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- kbtkny
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まず前提条件として、理想の電源は、出力インピーダンスが0Ωで、 どんな負荷をどれだけ繋いでも、その電圧が変わる事はありません。 つまり、2つの系統の回路が繋がっていて、片一方の回路の電流が どんなに激しく変化しても、電源電圧は一定であると言う事です。 ************************************************************** (参考)実際の電源はどんなに良い電源でも、出力インピーダンスは 0ではありませんので、実験時には場合によって気にする必要が あります。 ************************************************************** (a)で、R1~R2間の電圧も、Rs~Rd間も理想電源Vddがかかっています。 (b)も、Vddが2つになっただけで、(a)と同じ電圧がかかっていて (a)と等価になります。 参考までに、R2~Rs間とRd~R1間に2つのVddを繋いでも等価です。 ただし話を複雑にするだけで、何の足しにもなりません。 以上、参考まで
お礼
やっとわかりました。 難しく考えすぎていたようです。 ありがとうございました。
お礼
ありがとうございました。 難しく考えすぎていたようです。 なっとくできました。