バイアス回路についての質問です。

質問

バイアス回路　(four-resistor biasing)についての質問です。
図(a)と(b)を添付していますので、それを見てください。

「添付した図(a)のようなバイアス回路における　ＭＯＳＦＥＴのＱポイントを見つけよ」という問題で解答説明の途中で
「図(a)を(b)のように簡素化する。」とあるのですが、
どうして(a)が(b)になれるのかわかりません。

説明をよろしくお願いします

回答No.1

myeyesonly

こんにちは。
＋電源～ドレイン抵抗～ドレイン～ソース～ソース抵抗～ー電源
の回路と
＋電源～ゲート抵抗１～ゲート抵抗２～－電源
という二つの回路を分けて考えただけです。

このＦＥＴはＭＯＳ－ＦＥＴなので、ゲート～ソース、ゲート～ドレインにはナノ～ピコアンペアレベルのごくわずかな電流しか流れないので、ほぼ絶縁されていると考えて差し支えありません。

トランジスタのようにベースからエミッタに電流が流れる素子では直接この様に扱う事は出来ません。

また、この回路は、同じように入力電極～出力電極（グリッド～カソード、グリッド～プレート）がほぼ絶縁されている真空管にも当てはまります、というより、真空管で用いられていた理論をＭＯＳ－ＦＥＴに当てはめたものです。

お礼

ありがとうございます。
添付した図が小さくて見えにくかったので図を変えてもう一度同じ質問をアップしました。
お手数ですがよろしければ新しい方の質問の図も見てみてください。