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FTIR エピ層膜厚測定
FTIRについてです。シリコンエピ層の膜厚をFTIRで測定していますが、なぜ測定できるのでしょうか？どなたか教えてください。
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薄膜の厚みを測定するには、光学的な干渉効果を用いるのが一般的です。 シリコン基板上の酸化膜のように、基板と薄膜が全く異なる材質の場合、可視域でも十分な干渉効果がでますので、可視域の反射率測定器やエリプソメーターでも測定可能です。 しかし、基板とエピ層がともに同じシリコン単結晶である場合、可視域では光学定数に有為な差がないので干渉効果は得られません。しかし、デバイス作成用の為に作成するエピ層は、基板とドーパント濃度が違っている（変えている）ことが一般的です。この場合、ドーパント濃度の違いにより赤外領域には光学定数の差が生じます。そのため、赤外領域での反射率を測定し、干渉効果を見れば膜厚を知ることができます。赤外領域で効率的に反射率を測定するためにFTIRを利用しているのです。
お礼
丁寧に解説していただきありがとうございます。 本来のSi表面(Sub-Epi界面)と、Epi表面でのそれぞれの反射光で干渉させている、ということなのでしょうか？ ちなみにSubからの拡散があるとやはり膜厚は正確には測定できないのでしょうか？ 質問だらけですみません。