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半導体 リソグラフィーについて
現在半導体の勉強をしています。 半導体の教科書でリソグラフィ工程において 露光作業では回路パターンを転写するとありますが 実際にトランジスタなどの回路を作りこむ ということでしょうか? それとも回路を作るための目印をつけるという ことでしょうか? よく理解できなかったのでこちらで質問させて 頂きました。お手数をおかけしますがよろしく お願いします。
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半導体には微細なパターンにより形成されています。 この微細なパターンをどのように形成するかですが、 まずそのパターンの元になる図面の形が必要です。 その図面の形をマスクとよばれるものに書きます。 このマスクは半導体より数倍から数十倍の大きさであり このマスク上にパターンを露光装置により半導体に転写します。 さてこの転写の意味ですが、 マスクを通して光を当てると その影が半導体の上の縮小投射されその投射された形が 半導体の上に残ります。 これが転写です。 この装置をステッパーと言います。 工程の基本的手順は 1)半導体にレジストと呼ばれる光感光性の薬品を膜状につける 2)露光で、マスク内のパターンの影を半導体に転写する。 3)現像にて半導体上に掲載されたレジスト上のパターンを あぶりだす。 4)あぶりだされたレジストの形状をもとに半導体をエッチングする。 (侵食作用を利用して半導体の Si/SiO2を削る. 5) 1~4を繰り返して 何層ものパターンを半導体上に形成して トランジスターを形成する。
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- sanori
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こんばんは。 一応、その関係の元・開発技術者です。 トランジスタを構成する材料自体に光を当てても、パターンをかたどることはできません。 何かの材料のパターンを作るには・・・ 1. まず、ウエハー一面に、その材料の膜を積もらせる。(CVDなどによる薄膜形成) 2. 次に、ウエハー一面に感光材料(レジスト)を塗布して上記の膜を覆い、加熱して固めます。 (「塗布」とは言っても、塗るわけではなく、たらしてからウエハーをスピンさせることによって、厚さを均一にします。) 3. マスクを通して、光を当てる。 これによって、マスクの透明部分だけを光が通り、その光が当たった部分のレジストだけが感光する。 4. ウエハーを現像液に浸ける。(あるいは、現像液を上からかける。) すると、レジストの、感光した部分だけが溶ける。(ポジのレジストの場合。) 5. 真空のプラズマ装置の中にウエハーを入れ、プラズマエッチングする。 (レジストが乗っている部分以外のところの材料が彫られて、無くなる。) 6. 有機溶媒にウエハーを浸けて、レジストを除去する。 (あるいは、プラズマアッシャーを使って、燃やして除去する。) ・・・という手順になります。 パターンを作るだけでなく、イオン注入したい場所と注入したくない場所を区別するのにも、同様に露光技術が用いられます。 つまり、現像後、レジストのない部分だけにイオン注入がされるということです。 なお、 NECエレクトロニクスのサイトに、素晴らしい説明がありますので、 ぜひご覧になってみてください。 http://www.necel.com/technology/ja/index.html 以上、ご参考になりましたら。
お礼
お詳しい説明ありがとうございました。 参考になりました。
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