フォトルミネッセンスによるInGaAsの組成決定について

質問

フォトルミネッセンスでInGaAsのIn組成が決定できると聞きましたが、
どのように決定するか、参考になる文献があれば教えてください。

回答No.1

gandhi-

PLを測定することでバンドギャップエネルギーが分かります。
あとはそのバンドギャップから組成を算出するだけです。
バルク半導体であることが前提ですが。

一般的な半導体材料の物性定数については、下記にまとめられています。
InGaAsの組成とバンドギャップを与える式も出ています。
http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
（全ての物性定数が正しいことを保障するものではありません。
例えば、InNのバンドギャップは古いデータのままで、
現在一般に受け入れられている値ではありません）

参考URL：

http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/