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キャリア移動度が3600[cm^2/V・s]の半導体
はじめまして。 半導体のキャリア移動度が室温で3600[cm^2/V・s]の半導体で有名なものってありますか?
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Geでしょう。3900ですが。 今後、半導体の物性値をいろいろ調べるのなら [1] が役立ちます(英語です)。[2], [3] にGeを含む主な半導体のキャリア移動度が出ています。移動度は電子と正孔で違いますし、温度や不純物濃度、結晶構造などに依存します。なお、資料 [1], [2] のホールの移動度は正孔の移動度という意味です。移動度とは一般的にはホール(Hall)効果を使って測定したホール移動度の意味ですが、正孔のホールと、Hall mobilityのホールは別物です(前者のholeは孔、後者のHallは人名)。 [1] 化合物名をクリックしたところの Electrical Properties(電気的特性)→ Mobility and Hall Effect (移動度とホール効果)http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html [2] 表I http://www.rada.or.jp/database/home4/normal/ht-docs/member/synopsis/040303.html [3] 各半導体材料の特性 http://www.geocities.co.jp/Bookend-Kenji/5046/bussei1.html