界面準位の評価法

質問

ＭＯＳの界面準位について勉強したいのですが、お勧めの参考書やウェブページなどありましたら教えて下さい。

また、ＭＯＳの界面準位にトラップされる電子数とは一定なのでしょうか？

そして、界面準位の評価法としてチャージポンピング法という手法があるようですが、これは界面にトラップされた電子数を測定する方法という解釈でよいのでしょうか？

チャージポンピング法についてもお勧めの参考書などがありましたら教えて下さい。

宜しくお願いします。

回答No.1

A-Tanaka · ベストアンサー

MOSも結局は同じことなので、もう少し基本的なことを触れたURLを紹介します。
http://staff.aist.go.jp/shiro-hara/schottkytop.html

MOSの場合には、このショットキー障壁が薄い酸化金属膜によって構成されるものと読み替えてみてください。

とりあえず、上のホームページがあるサイトに参考論文や技術文献があるので、その辺りから学んでみるのも良いと思います。

http://keithleypromotion.com/japan/PulseIV/2596_Test_Sequencing_WP.pdf
には、チャージポンピング法（CP）とCV法を組み合わせた測定方法についての記載が掲載されています。

参考書は、なさそうですね。CP法は、既に測定器に内蔵されている手法であり、古い文献を当たって見ると良いと思います。

お礼

ありがとうございます。
文献を読んで勉強してみます！