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少数キャリア密度について

P(リン)を1×10^17cm^-3ドープしたn型Siについて全てのPイオン化しているとき室温における少数キャリア密度を求めよ。 (少数キャリア密度の2乗)ni^2=N_c*N_vexp(-E_g/K_BT) ですが式の中のE_gの値がわかりません どうやって出せばいいのですか?

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回答No.1

理屈でE_g、すなわちバンドギャップの大きさを出そうと思ったらバンド計算しなければならず、プロでなければまず無理です。普通はそんな事しないで、教科書等に載っている文献値を使います。Siのバンドギャップは約1.1eVです。

mahiro19
質問者

補足

これの電子密度はいくらになるんでしょうか?

その他の回答 (3)

  • saikoro
  • ベストアンサー率57% (11/19)
回答No.4

> n=1*10^17なんですか? ドープしたリンが全てイオン化したということですから、リンの原子数だけキャリア(電子)が発生するとしていいと思います。

  • saikoro
  • ベストアンサー率57% (11/19)
回答No.3

Eg=1.12eV、k=8.62e-5eV/K、T=300Kとして、 ni^2=2.907e38 exp(-1.12/8.62e-5/300)=4.51e19 p=ni^2/n=4.51e2 だいぶ近づいたでしょうか。 でもよっとした端数でケタでかわりそうですね。

mahiro19
質問者

補足

n=1*10^17なんですか? そしたら答えになるんですが…

  • saikoro
  • ベストアンサー率57% (11/19)
回答No.2

np=ni^2より p=ni^2/n=2×10^3 (ni^2=2×10^20として) では?

mahiro19
質問者

補足

答えは4.62×10^2cm^-3なんです;; ちなみにN_c×N_vは2.907×10^38です

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