シリコン直接接合について

質問

いま実験を行っています。しかしくっつきません。
シリコン基盤をSPM、RCA1、RCA2、フッ酸、RCA1、フッ酸、接合の順で行ってます。接合後炉で1000℃8時間焼いてます。何か間違っているのでしょうか？わかる方教えてください。

回答No.1

tesla1

接合前のフッ酸処理の後、シリコンの表面は疎水性になっています。シリコン表面が疎水性であると大変くっ付き難いので、親水性に変えてやる必要があります。
その方法は２通りあって、フッ酸処理後、サンプルを過酸化水素水に１０分以上浸す、または酸素プラズマを接合面に当てた後接合すると、基板同士をくっ付けた際水素結合し易くなります。
私は前者しか試した事がありませんが、後者の方が活性化され結合エネルギーが高いので、接合され易くなるそうです。

見たところ洗浄方法に問題は無さそうなので、一度試してみて下さい。

余談かもしれませんが、金属のピンセットを使ったり、ＲＣＡ洗浄後接合面に触れたりすると、金属片が付いたりとかパーティクルが付着したりと、ほんの小さな要因が接合の妨げとなるので、サンプルの扱いには注意して下さいね。

検討を祈ってます＾＾；