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- ohkawa3
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回答No.1
最も単純な近似解は、出力インピーダンス=Rdと考えてよさそうに思います。 なぜならば、MOS-FETの能動領域のV-I特性は良好な定電流を示すので、FET側のインピーダンスは、Rdよりも十分に大きな値だからです。さらに、Rsによる電流負帰還によって出力インピーダンスは、FETの裸の特性よりも上昇するので、上記の近似はより一層誤差が減ります。
最も単純な近似解は、出力インピーダンス=Rdと考えてよさそうに思います。 なぜならば、MOS-FETの能動領域のV-I特性は良好な定電流を示すので、FET側のインピーダンスは、Rdよりも十分に大きな値だからです。さらに、Rsによる電流負帰還によって出力インピーダンスは、FETの裸の特性よりも上昇するので、上記の近似はより一層誤差が減ります。
補足
ありがとうございます。ですが答えがZo=1.46kΩとなっていて、それをどのように導出しているかできたら教えていただきだきたいです。