ウェハー表面のパッシベーション膜の残存について

質問

半導体ウェハー工程時にウェハー保護の為にメタル層上に作るパッシベーション膜は、除去しなければならないものでしょうか？またその場合、完成品出荷時に残存している場合は、その後、電圧印加や温度、湿度などで簡単になくなるものでしょうか？

ＩＣ組み立て工程後にウェハー上に残存するパッシベーション膜によりおこりうる問題があることで質問させて頂きました。

技術的に初心者で申し訳ないのですが可能な限りで回答、情報頂きたくお願いします。

回答No.1

noname#230359

非常にデリケートな部分（例えばゲート周辺）のアイソレーションを実施
する場合、貴殿の内容と異なるパッシベーション膜で、siエッチングや
ドーピングをします。

が、それを長時間放置すると、siやドーピングエリア部分が、イオンレベル
での変化を起こし、性質が変化して、目的の性能が出なくなります。

異種金属等が、長い間に接触すると、電池効果で腐食し、その部分が酸化
等をします。酸化は電子の遣り取りで、酸化膜は絶縁物の生成です。

ICでは、考えられない内容ばかりでしょう！が簡単な理由です。