ホール測定における抵抗率の差異
AlGaN/GaN HEMT構造サンプルでホール測定(van der pauw法)を行なう際、サンプルの縦方向と横方向で、抵抗率が3,4倍ほど異なることが多々あります。縦同士、横同士では抵抗率はほぼ一致しています。GaNの結晶構造(ウルツ型)に起因する分極が原因と考えましたが、それならばz軸方向に自発分極、ピエゾ分極が発生し、xy平面方向(ホール測定で電流を流す方向)には発生しないと考えます。電極の付け方に起因する接触抵抗等が原因とも考えましたが、値が違いすぎるし、抵抗率がきれいに揃い過ぎていると思います。オフ角なども考慮して結晶構造の傾きを調べる必要があるのでしょうか?なにが原因か教えてもらえたら幸いです。何か思い当たることがあれば、些細なことでも構わないので教えていただきたいです。
お礼
ありがとうございました。大変参考になりました。 似たような質問が実はあったなんて知りませんでした。 ホール効果は、難しいようで実は基本的なことなんだなぁと痛感しました。 これから、参考書を買ってもっと勉強したいと思います。