金属・半導体接触

質問

いくつか質問します。

1.ｐ型半導体の仕事関数はいくらですか？
2.p型半導体とオーミック接触となる金属とその理由
3.オーミック接触とショットキー接触の電流―電圧特性の違いと、その測定方法

かなり専門的な質問で申し訳ないですが，回答お願いします。

回答No.4

mmky

＃２mmkyです。＃３damakさんの指摘どおりですね。
仕事関数の定義は、金属表面から電子が飛び出す時のエネルギーだよね。
0.35Vや0.25Vであるわけないよね。半導体間接合面の電位障壁（閾値）は差分だよね。差分と間違えました。ごめん。
金属とP型半導体の仕事関数差（差分）だとこのぐらいになるのかな。
でもP型のキャリヤ濃度でずいぶん変わるね。
金属の仕事関数は＃３damakさんの参考URLにありますね。
金属と半導体の仕事関数差は、以下参考URLにあります。
http://homepage2.nifty.com/~nyath/semiconductor/2.13.html
http://homepage2.nifty.com/~nyath/semiconductor/contents.html

訂正まで
damakさん、ありがとう。

回答No.3

damak

前回の参照元の続きに
各金属、半導体の値が載ってました。↓
前回参照元と併せてご参照ください。

＃２さんの理論をいくつか
覆してしまうかもしれませんが・・

ご参考になれば幸いです。

参考URL：

http://www.ee.fukui-nct.ac.jp/~yoneda/text/other/simulation/Schottky/theory_06.htm

回答No.2

mmky

＃１さんの回答と参考ＵＲＬがあるので、
参考まで

1.ｐ型半導体の仕事関数はいくらですか？
シリコン半導体ですとＰＮ接合で0.7Ｖですから半分の0.35Ｖがフェルミ
電位との差です。ゲルマニュームは0.5の半分かな。
2.p型半導体とオーミック接触となる金属とその理由
金、銀、アルミなどの自由電子のいっぱいある導体　
（理由＃１さんのＵＲＬを参考に）
3.オーミック接触とショットキー接触の電流―電圧特性の違いと、その測定方法（理由＃１さんのＵＲＬを参考）
測定方は、ダイオードのアノードに抵抗と電流計を直列につなぎ、ダイオードのカソードをアースに接続します。抵抗に直流電圧をかけます。その電圧を0Ｖから増やしていきます。抵抗に流れる電流と、ダイオードの両端の電圧を測ると（＃１さんのＵＲＬを参考）のような電圧電流特性が得られます。
以上
参考まで

回答No.1

damak

１は構成元素によって異なるので
半導体関係の書籍を参照すると
載ってます。

↓２，３の参考にしてください。

雑な返答で申し訳ない

参考URL：

http://www.ee.fukui-nct.ac.jp/~yoneda/text/other/simulation/Schottky/theory_02.htm