GaAsの放射率って？

質問

すみません、検索すれば出てくると思ったのですが文献により様々な値があり、どれを信じればよいかわからなくなったのでこちらで専門家の方に伺いたいと思い、質問とさせていただきました。

真空装置中のGaAsの温度を放射温度計を用いて求めたいのですが、
「GaAsの放射率」をご存知の方、いらっしゃいましたらお教えいただければ幸いです。

一応文献から引っ張ってきた値はε= 0.7と0.1です。測定に用いる光の波長により、放射率は変わるということらしいのですが…
用いる放射温度計はMINOLTA IR-308です。
web上には
Spot Thermometer IR-308 (250°C to 800°C)
Applications:
Mid-temperature and through-glass measurements
とあります。

何卒よろしくお願いいたします。

回答No.1

sat000

あなたの扱っているGaAsの放射率(輻射率)を知っている人はいないと思われます。
というのも、放射率は表面の状態(主として酸化等)によって変わるからです。
金属ですとせいぜい0.1とか0.2くらいじゃないかと思いますが、その酸化物では0.7とか0.8とかになります。
GaAsも同じです。
もちろん波長によって輻射率は異なります。
正確を期すなら、分光器で放射スペクトルを測り、黒体輻射スペクトルと比較して温度を推定する、何らかの方法でキャリブレートする(但し、GaAsの表面状態が常に一定である事が前提となります)等が必要になるでしょう。
ただ、もしある二波長において輻射率がほとんど変わらないというデータがあるのであればですが、もしそうであれば二波長(二色)放射温度計を用いればエミッシビティを知らなくても温度の測定が可能です。
エミッシビティを測ろうとすれば黒体炉が要りますし、まあキャリブレーションですかね。
キャリブレーションは、おそらくいくつか方法があると思うのですが、私が思いつく方法の一つは熱伝対を試料に貼り付けて、その温度と放射温度計の指示値を比較するという方法です。
測定温度域からすれば固体のGaAsでしょうから比較的容易に実施可能かと思います。
もっともこの方法ができるようなら、わざわざ放射温度計を持ち出さないのかもしれませんね。
私が助言できるのはこれくらいでしょうか。

お礼

お礼が遅れ、大変失礼いたしました、、

ご返信ありがとうございます。やはりキャリブレーションが必要ですよね、その様に工夫を凝らしてみようと思います。

ありがとうございます。返信遅れ、大変申し訳ありませんでした。