- ベストアンサー
吸収について
光の吸収係数についてお伺いしたいのですが、ある文献で吸収係数α＝B(hν-E)**2だという式があったのですが（B:定数、h:プランク定数、ν:振動数、E:バンドギャップエネルギー）、これはどういうところから導出されてくるものなのでしょうか？またこの式から光の吸収係数は温度によって変化していくといえるのではないでしょうか？
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
間接遷移型の半導体の光吸収係数は直接遷移型と違い、少し複雑になります。間接遷移では、電子がフォトンだけでなく、フォノンを吸収または、放出することを考慮しなければなりません。フォノンの周波数をνqとすると、α＝B(hν±hνq-E)**2となりますが、この式を導出するにはバンド理論の予備知識が必要になります。また、吸収係数は温度に依存します（温度Bに含まれています。）。詳しい説明は専門書を読んで下さい。下記は研究者や大学院生を対象とした参考書ですが、非常に示唆に富む本ですので是非ご一読下さい。 「半導体物理」朝倉書店 浜口智尋 著 この本の７８～８２ページをご覧になれば宜しいかと思います。
お礼
丁寧な解答どうもありがとうございます。 さっそく参考文献を拝見したいと思います。