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トリフェニルホスフィンオキシドの除き方

合成にトリフェニルホスフィンを使いたいのですが、トリフェニルホスフィンとトリフェニルホスフィンオキシドの除去がよく分かりません。 沈殿を濾過した上で、シリカゲルで精製するとありますが、濾過だけでは何%くらい除去できているのでしょうか。またシリカゲルではどの溶媒で溶出するのが一般的なのでしょうか。 アドバイスお願いいたします。

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回答No.2

Wittig反応でしょうか? ホスフィンオキシドはかなりの高極性化合物なので、ヘキサンなどの無極性溶媒には溶けにくいです。 クロロホルムなど使うと溶けます。 なので、貧溶媒を使ってろ別すればある程度は減らせます。 ですが、完全に除くのは難しいですし、どうせその後でカラム精製するのならここでの除去率は低くても構わないでしょう。 クルード量が減った方がカラムがやりやすくはなりますけどね。 気になるのなら、ろ過前後でのTLCの変化や、より厳密にやりたければNMRを取ってみればわかるでしょう。 また、トリフェニルホスフィンはかなり溶けやすいので、ろ別で除去するのは難しいと思います。 トリフェニルホスフィンはカラムで結構動きます。 ヘキサン-クロロホルム混合系で簡単に流れてきます。 オキシドは対照的に非常に極性が高く、ヘキサンなどでは動きません。 クロロホルムを増やすとか、酢酸エチルを加えるとかしない限りは除去は容易でしょう。 生成物のピュリティにもよりますが、ホスフィンはいなくて、オキシドと分離したいだけなら、ろ別後にシリカゲルパッド(あるいはショートカラム)をヘキサンなどの低展開力溶媒で流し、オキシドを吸着させてのぞくこともできるかと。 いずれにせよ、質問者さんの手元に実験の詳細があるわけですよね? 展開溶媒などが載っていないのなら、ヘキサン・酢エチやヘキサン・クロホでいじって選んでください。

その他の回答 (1)

noname#62864
noname#62864
回答No.1

>沈殿を濾過した上で、シリカゲルで精製するとありますが、濾過だけでは何%くらい除去できているのでしょうか。 溶媒によるので何とも言えませんが、濾過だけではほとんど除けないと思います。 >またシリカゲルではどの溶媒で溶出するのが一般的なのでしょうか。 これはシリカゲルによるカラムクロマトグラフィーによる精製のことでしょうか。 これも、分離したいものによりますので、何とも言えませんが、ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒がよく用いられるように思います。ヘキサン-エーテルやヘキサン-ジクロロメタンなどの場合もあり、特に決まった溶媒があるわけではありません。 トリフェニルホスフィンは極性が小さいので、低極性溶媒を用いて、目的物よりも先に溶出させることが多いでしょうし、トリフェニルホスフィンオキシドは極性が大きいので、目的物の溶出が終わるまでは、溶出が始まらないような溶媒を選ぶことが多いと思います。 しかし、こう言ったことは、目的物の極性とも関連しますので、上記のようにならないことも多くあります。

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