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二次イオン質量分析(SIMS)について教えてください。
二次イオン質量分析(SIMS)で定性分析は出来るんですか?出来るならどのようにして何がわかるんですか?本には載っていないみたいなので・・・・・ お願いします。
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SIMSは主に定性分析です。 SIMSでは表層元素分析と ディプスプロファイリング(深さ方向分布) がわかるわけです。 簡単な原理としては一次イオン(例えばCsイオン) を表面に照射させ資料表面から出てくる 2次イオンを質量分析にかけるわけです。 基本的に、SIMSには2種類あり、 D-SIMS(ダイナミックSIMS) S-SIMS(スタティックSIMS) が有ります。 どちらか、測定条件によって使い分けます。 (変ないい方ですが、装置として違うのですが) D-SIMSでは主にセクター型という物が主流だと思います。 (自信有りません、投影型を使用してる方も多いとおもうので。ちなみにセクター型を細かく説明することはできません。。ごめんなさい) 特徴として、 高感度(ppm~ppbオーダー) 水素分析(一応、全元素の測定可能)、同位体の測定、 深さ方向分析(数十nm)が用意である。 微小領域の分析が可能(20nm~数μmまで) 定量性は(10~100%の正確度、数%の精度) です。 あと、デメリットとしては 破壊分析であること、組成分析はできない、 感度が元素によって大きく異なることです。 また、定量の際は精度のかなり高い標準試料を 使用しないと、数%の精度で定量ができないことです。 S-SIMSでは今はほとんどTOF-SIMSというものが 主流だと思います。(Q-SIMSもあるんでしょうけど・・TOFはわかりますよね・・?) TOF-SIMSはD-SIMSと比べ、1次イオンの照射量が 少ないので試料表面への損傷が少ないです。 また、全元素同時測定が可能、さらに 測定できる質量範囲が広いです。 M<10000amu ぐらいかな・・・ ちょっと正直にTOF-SIMSは詳しくないもので・・・ 説明が下手ですね。。。 rei00さんの方がもっとわかりやすい説明かと思われます。 参考にしていただければ幸いです。