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Tr静特性曲線
トランジスタの静特性曲線はエミッタ接地のものがほとんどだけど これは何故ですか?どうしてコレクタ接地のものは全くないんですか?
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参考程度に トランジスター素子は3端子増幅素子ですが特性はベース・エミター間で決まる、あるいは決めているのです。だから、増幅静特性ではベース・コレクターは使わないのです。ベース・コレクターを使うということはエミターとコレクターを逆にして使うという意味になってしまいます。逆トランジスター特性という意味ですね。だから主にエミッター接地、この場合はベース電圧を可変、あるいはベース接地、まれ、この場合は、エミター電位を可変とするのです。ベース接地とかエミター接地というのは、ベース、あるいはエミターのどちらかの電位を固定(接地)して測定するという意味ですね。そういうことでコレクター接地という静特性は無いのです。 回路上はコレクター(電源)接地のエミッターフォロアが使われますが、この場合でも、トランジスターの利得はエミター接地の静特性で得たものを使います。
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#2です。 算出出来る→特に用意する必要が無い と考えてます。面倒くさがらずに一度御自身で計算してみてはいかがでしょうか。そうすればコレクタ接地静特性が存在するかどうか分かります。仮にあったとして、性能に問題があるかどうかも分かるでしょう。
静特性というのは直流だけの特性です。接地といっても入力と出力で端子を共通にするというだけのことなので、電圧は0Vである必要はありません。端子間の相対的な電位差が問題なので、例えばコレクタ接地でコレクタ0V、エミッター5V、ベースー4.3Vでもいいですし、コレクタ5V,エミッタ0V、ベース0.7Vでもいいのです。つまりコレクタ接地でもきちんとバイアスはかけられます。 トランジスタの特性はバイアスと交流信号入力に分けられます。バイアスとは、トランジスタを動作状態にして増幅の準備をすることです。そこへ目的とする交流信号を入力して増幅するわけです。 で、肝心の質問への回答ですが、エミッタ接地でデータが得られたらコレクタ接地も算出出来る・・・のではないでしょうか。端子間の電位差は接地が変わっても同じですから。確信ある回答でなくて申し訳ありませんが。
お礼
お答え有難うございます。でも >エミッタ接地でデータが得られたらコレクタ接地も算出出来る ならばコレクタ接地の静特性曲線があってもいいのでは? ベース接地のものはあってもコレクタ接地は全く無いのは 何故でしょうか。
- mmky
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「どうしてコレクタ接地のものは全くないんですか?」 質問は面白いけど、答えは面白くないんです。 トランジスター動作しないからなんです。
お礼
お答え有難うございます。 でもコレクタ接地回路も立派な増幅回路ですよね? トランジスター動作しないからって、、、 そもそもトランジスター動作ってなんですか? もう少し教えて下さい!
お礼
なるほど! よく分りました。本当に有難うございます。 すっきりしました。