第一イオン化エネルギーについてとシリコンの性質について

質問

明日、テストで勉強をしていたのですが、詰まってしまいました。
二つあるのですが、

(1)　元素の第一イオン化エネルギーのところで
Li Be Ｂ C N Ｏ F Ne
Na Mg Ａl Si P Ｓ Cl Ar
の部分の第一イオン化エネルギーでＢとＯとＡlとＳのところで、エネルギーの値が小さくなるのはなぜでしょか？

(2)　シリコンの半導的な性質とは何でしょうか？

この二つなのですが、、化学が不得意なんで詳しく教えてくれるとうれしいです。
どなたかお願いします。

回答No.2

Chang-gu · ベストアンサー

(1)ＢとＯのところでイオン化エネルギーの値が小さくなると見るのでなく、BeとＮのところで高くなると見るのです。AlとＳの場合も同様、MgとＰのところが高い。なぜそうなるかというと、電子軌道に電子が半分充填された状態や完全に充填された状態が、その他の場合に比べてより安定だからです。安定な状態から電子を取り出すのですから、余分にエネルギーが必要ですね。
Be,Mg の外側電子殻のｓ軌道（最大電子収容数：２個）で、中性原子では実際に電子が２個収容されてますね。ＳとＰの場合はｐ軌道（最大電子収容数：６個）で、中性原子ではいづれも３個収容されています。

（２）は＃１さんの回答でいいかな。

まだ、勉強してますか。頑張ってください。

お礼

なるほど、そういうことだったんですか。
回答ありがとうございます。
最初は全然わからなかったけど、少しは頑張って勉強したから、書いてある事が理解できる。
進歩した（笑）かな！？
頑張ります！

回答No.1

he-goshite-

(2) シリコンの「半導体」としての性質でしょうか？
電気的性質です。金属のように電気を良く通す良導体と陶磁器などのような不導体（または絶縁体）との間の性質という意味で，半導体と言われています。
この性質を利用して，トランジスタやＩＣなどを作ります。

お礼

回答ありがとうございます。
そうです、”半導体として”のです。
言葉足らずですいませんでした。