ベストアンサー 電界効果トランジスタについて 2002/10/27 16:08 ソース短絡・ドレイン開放のために、ドレイン端の負荷抵抗に高抵抗を用いるのはなぜですか? なぜ高抵抗でなくてはいけないのですか? その高抵抗の役割と仕組みをどなたか教えてください! みんなの回答 (6) 専門家の回答 質問者が選んだベストアンサー ベストアンサー noname#3184 2002/11/13 11:57 回答No.6 プラズマ共鳴の条件の1つとして、「ソース短絡ドレイン開放」があります。これは、プラズマ共鳴が起こったとき、ソース端=節、ドレイン端=腹ということであり、このとき、ソース端の反射係数=-1、ドレイン端の反射係数=1とならなくてはいけません。反射係数がドレイン端で1となるためには、反射係数の式(略)より、(ドレイン端の負荷抵抗)>>(トランジスタの内部抵抗)という条件が必要になってきます。したがって、プラズマ共鳴を起こすためにはドレイン端の負荷抵抗に高抵抗をかけなくてはならないのです。 こんな感じで、どうでしょうか? 質問者 お礼 2002/11/13 12:07 ありがとうございました! そして、↓のみなさん、いろいろと回答をありがとうございました。 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 その他の回答 (5) nta ベストアンサー率78% (1525/1942) 2002/11/02 17:07 回答No.5 #2の者ですが、質問者の疑問には答えていないかもしれません。それは、オープンドレインのFETに負荷抵抗がついているということは自己矛盾ですから、質問自体がよく理解できないわけです。 今はあまり使われなくなったワイアードORのことを指しているとしても、動作速度を上げるためにそれほど高い実抵抗を使うことはありません。できましたら、どういう問題を取り扱いたいのか説明してください。 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 mmky ベストアンサー率28% (681/2420) 2002/11/02 14:24 回答No.4 #1、#2でもわかりずらいかな? 電界効果トランジスタは、トランジスターと違って、同一の半導体(ユニポーラといいます。)で出来ています。ON状態では低い抵抗見たいになります。だから負荷抵抗を大きくしないとONの時の電位がゼロに近くなりません。 (これは、スイッチ電圧としては誤作動を起こしますからね。) 出力電圧V0は、V0=(V・RL)/(RL+r) V:電源電圧、r:ON時のFETトランジスターの抵抗。 RL≫r ということですね。 こんな理由もあるね。 参考まで 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 mmky ベストアンサー率28% (681/2420) 2002/10/28 21:47 回答No.3 #1からの追伸です。 #2のntaさんの電流源(抵抗を大きくする理由)の説明が質問の回答として正しいですね。 参考まで 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 nta ベストアンサー率78% (1525/1942) 2002/10/28 11:07 回答No.2 実抵抗の高抵抗を実際に使うと出力電流が低下してしまいます。そこで実抵抗ではなくて定電流源(カレントミラー)を用いた「能動負荷」を使います。これはドレイン電流を低下させずに交流の電圧利得を稼ぐことができるからです。 参考URL: http://www-nh.scphys.kyoto-u.ac.jp/~enyo/kougi/elec/node27.html 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 mmky ベストアンサー率28% (681/2420) 2002/10/27 18:14 回答No.1 「ソース短絡・ドレイン開放のために、ドレイン端の負荷抵抗に高抵抗を用いるのはなぜですか? 」という質問ですね。 まず、一般的な電界トランジスターやトランジスターは、非常に小さい電流で動作するように出来ています。ミリアンペアからマイクロアンペアの範囲です。電界トランジスターをON状態にしますとドレインと電源に接続した抵抗から電流がドレインに流れ込みます。ドレインとアース間電位はON状態で ほぼゼロになりますから、電源電圧をVとしますとドレイン電流Idは、 Id=V/R になりますね。例えば電圧Vを10Vにしますと。Idを1mA(ミリアンペア)にする抵抗Rは、10キロオームになりますね。このときの抵抗Rでの 消費電力は、1mA×10V=10mWになりますね。 半導体は小さいですから温度がすぐ上昇してしまいますね。温度が上がりすぎると使えなくなったり、壊れたりします。 OFF状態では、抵抗から負荷(次のトランジスター)へ電流が流れますね。 この電流も抵抗を大きくすれば減らすことが出来ますね。 このようなトランジスタが10個で、100mW, 100個で1000mW=1Wになりますね そこで、なるべく大きな抵抗、例えば100キロオームなんかを使います。 100キロオームだと、10Vで0.1mA、1mWで収まるね。 だから電界効果トランジスターでもMOS型を使って、さらに大きな抵抗を使って電流を減らして、消費電力を減らしているのが集積回路です。 それでも温度が上がるのでパソコンでもFANを使って温度を減らしています。 ということで、負荷抵抗は大きいのです。 こんなのでよかったかな? 広告を見て全文表示する ログインすると、全ての回答が全文表示されます。 通報する ありがとう 0 カテゴリ 学問・教育自然科学物理学 関連するQ&A トランジスタ エミッタ接地回路で負荷抵抗Rcはなぜあるのですか? また、 http://www.kairo-nyumon.com/analog_basic.html このサイトの >>トランジスタに流れる電流は、コレクタ-エミッタ間(もしくはドレイン-ソース間)の電圧が小さくなると、あまり増えなくなる というのはなぜですか mos形電界効果トランジスタについて 標記についてゲート端子を2つものがあり、一般的にはそのうち1つはソースに接続されることが多いと記載されているのですが、2つのゲート端子の場所やどのように接続されているのかという図などがありません。 図書には3端子のものしかなく ゲート端子が中央に絶縁皮膜の上に接地されており、両サイドにソースとドレイン端子が記載されているだけで、2つめにゲート端子、それと接続されるというソース端子がわかりません。 なにかよい資料はありませんでしょか。 電界効果トランジスタの特性について 有機の電界効果トランジスタのトランジスタ特性(SD電流-G電圧特性)を先日測定したところ、ゲート電圧をプラスへ上げていくとOFF状態になってソース・ドレイン電流が減少しました。そして何となくそのG電圧+50Vから折り返してマイナス-50Vの方にまで同様に電圧を掛けて測定してみたのですが、グラフが行きと帰りでは一致しておらず、グラフが縦の楕円のような曲線になりました。行きの+50Vの時のSD電流値より帰りの+40Vの時の電流値の方が下がるという妙な現象が起きたのですが、これはどのような原因が考えられますか。 参考書をいくつか漁ってみましたが、そのような内容は見当たりません。どなたか教えてもらえないでしょうか。ちなみに半導体層はp型です。 天文学のお話。日本ではどのように考えられていた? OKWAVE コラム 接合型電界効果トランジスタの増幅率 先日、接合型電界効果トランジスタを用いで実験を行いました。 第1象限に接合型電界効果トランジスタの静特性のId-Vds特性を書きました。 (各Vgsについて書きました。) 第2象限にはId-Vgs特性を書きました。 この第2象限のグラフから、Vgs=-0.8Vのときの傾きを求めて 相互コンダクタンスを求めました。(-0.8が動作点) 同様に第1象限から出力抵抗を求め、相互コンダクタンスと掛け合わせると 約10倍となりました。 しかし、オシロスコープで入出力信号の波形を観測して、 振幅比をみると約5倍にしかなりません。 なぜなのでしょうか? 負荷抵抗があっていなく、頭打ちになっているのでしょうか? 電界効果トランジスタのチャネル形成について トップゲートトランジスタ等のゲート電極に正の電圧を加えたとします。 するとゲート電極下部のゲート絶縁膜上部は負に帯電し、下部は正に帯電すると思います(誘電分極)。よって半導体層界面の電子濃度が増加するのでチャネルが出来てソース・ドレイン間の電流量が増えるとの事ですが、この電子濃度が上がる要因とは帯電した絶縁膜の静電気的引力によって異符号のキャリアが直接吸い寄せられたという解釈でいいのですか?それとも静電気によって半導体層のポテンシャルが沈むように変化した結果、キャリアが溝に落ちてきて集まったと考えるのでしょうか? 一方逆に、ゲート電極に負の電圧を掛けると半導体層界面には電子濃度が減る事についても同様に説明されると思います。ただ、そもそも空乏層というのは、実空間的に界面近傍にキャリアが存在しなくなっているから電流密度が減ったのか、または波数空間的に対応するエネルギー準位のキャリアが存在していない(禁制帯)から電流密度が減ったのか、どのように考えればいいのでしょうか。 トランジスタ hパラメータ 問題が解決しなかったため、質問させて頂きました。 hパラメータのhi、hfを求める回路ではエミッタ開放、コレクタ短絡の条件を満足するためにLとCを用いている。これによる誤差はどのくらいか?また、エミッタ電流IEを調整するために可変抵抗を入れている。これによる誤差はどのくらいか? という問題があるのですが、どう答えればいいのでしょうか? お手数おかけしますがよろしくお願いします。 トランジスタについて トランジスタについて 今トランジスタについて調べているのですがトランジスタは半導体素子だとwikiに書かれていました。 ということはソース,ゲート,ドレインすべて半導体でできているのですか? 電験 機械 変圧器 定格15000kV・A 定格電圧63.5/13.8kVの単相変圧器の無負荷試験と短絡試験を行った。 高圧側開放で低圧側での試験結果 電圧13.8kV 電流38A 入力56kW 高圧側短絡でインピーダンス電圧952V 電流1087A 入力62.5kW であるときの 励磁コンダクタンス 励磁サセプタンス 全抵抗 全リアクタンスを求める問題で 解答では、図のようになっています。 なぜ高圧側開放(二次側開放)なのに二次換算をつかってもとめているのでしょうか? 無負荷試験、短絡試験はそういうものなのでしょうか? 電界効果トランジスタ 最近習い始めましたが、電界効果トランジスタの特徴がよくわからないのですが、いったいどういうものなのでしょうか? 電界効果トランジスタ 電界効果トランジスタ(FET)は高入力インピーダンスであり、心電計などの増幅器によく用いられているのは何故でしょうか? 皮膚抵抗による電圧降下を少なくするためだと思ったのですが、自信がないのでアドバイスよろしくお願いします。 電解効果トランジスタのリーク電流は実測出来ませんか? 電解効果トランジスタのリーク電流は実測出来ないという話を聞きました。 ゲートとドレインに電流計をつけたとしてもドレインとゲートの間に流れるリーク電流はソースから流れてきた電流と区別がつかないため、 実測出来ないそうなのですが、 本当なのでしょうか? よくトランジスタの記事などでは低リーク電流を謳っているものを見かけますが、あれはどうやって測定しているものなのでしょうか? 二端子対回路の問題について S は正弦波交流電源,VSは電圧源 U の電圧,RS は内部抵抗の大きさ,N は伝送路を表す二端子対回路で,負荷は大きさ RL の抵抗.伝送行列は[V1]= [A B][V2]となる。 [I1] [C D][I2] 端子 1-1’から端子 2-2’までの電圧伝送比および電圧源 U を短絡して端子 2-2’を開放したときの出力端開放インピーダンスを求めたいですが。 まず端子 1-1’から端子 2-2’までの電圧伝送比は伝送行列によって、V1とV2を出してからV2/Rl=I2の関係を使って求めてもよいでしょうか? また、出力端開放インピーダンスについては、v2を開放したままで、i2をゼロとして伝送行列でv1,i1を求めてから、内部インピーダンスを出してもいいですか?また、もしこの方法でよいのなら、このときN内部のインピーダンスはどのように扱ったらいいでしょう? 日本史の転換点?:赤穂浪士、池田屋事件、禁門の変に見る武士の忠義と正義 OKWAVE コラム 回路の導線中の電界はあるのか。 電池と抵抗が導線で接続された回路で、抵抗の両端の電圧は電池の端子電圧と等く、それを抵抗の長さで割って抵抗中の電界を求めます。電子が電界から受ける力とイオンからの抵抗力のつりあいを考えたりします。ところで、抵抗と電池を接続する導線は等電位ですよね。すると、電流が流れているときこの導線には電界がないのですか?コンデンサーの極板間に電気力線をかくときは+から-へ書くので直感的にわかるのですが、抵抗に電気力線をかくとき、抵抗の端から端までかくのは、+,-が帯電しているわけではないのでしょうからわかりにくいのですが、上記の回路の電気力線はどうかけばよいのでしょうか? 負荷?無負荷? 負荷状態、無負荷状態という言葉に混乱しています。 負荷状態→抵抗がある状態 無負荷状態→抵抗が0である状態 ということなのでしょうか? あと、短絡というのは無負荷と同義でしょうか? 頭の中がこんがらがっています(>_<) どなたか教えてください! 終端開放線路について 電気・電子回路で"終端開放線路"と"終端短絡線路"というのがよくわかりません。自分の中では、終端開放線路はフィーダにアンテナをつなげたことであり、終端短絡線路はフィーダに負荷を取り付けたことだと思っています。 また、何のためにやっているか自体もわからないので教えてください。 トランジスタの交流負荷について トランジスタの交流に対する負荷に対する質問です。 図にあるとおり、解説では、 『交流負荷Rは....並列合成抵抗になる』とありますが、 図を見る限り、直列合成抵抗では無いのかなぁと思っています。 何故、並列合成抵抗になるのか、回答よろしくお願いいたします。 抵抗の大きさ&短絡電流 太陽電池の測定の際、どのくらいまで抵抗値を大きくすれば短絡電流、開放電圧のI-V曲線が描けるのでしょうか?また、短絡電流(短絡は回路でどのようにすれば短絡となるかがわかりません)はどのように測定すればいいのでしょうか?できれば詳しくお願いします。よろしくお願いします。 色々な機器 こんにちは。 学校で電気機器を学んでいるのですが、ちょっとわからないことがあり質問させていただきました。各機器の役割を?~?の中から選ぶのですが、途中までなんとなく選んでみたのですが、実際は各機器?~?だとどのような役割にあてはまるのでしょうか? ?負荷電流の閉路(投入) ?負荷電流の連続通電 ?負荷電流の遮断 ?短絡電流の閉路(投入) ?短絡電流の規定時間通電 ?短絡電流の遮断 ?開路中の確実な絶縁の維持 ?回路の異常な過電圧の吸収・抑制 遮断機 ?、? 断路器 ?、? 開閉器 ?、? 避雷器 ? mosトランジスタの小信号等価回路の問題 以下の図は(a)から(e)の小信号等価回路を描く問題とその解答です。何故解答のようになるのか全く分かりません。 ソースやドレインが電源や抵抗と繋がれておらず相互コンダクタンスや出力抵抗のみ考えれば良い場合についてはある程度分かっているつもりなのですが電源や抵抗と繋がれるととたんに分からなクなってしまいました。出典は数理工学社『mosによる電子回路基礎』(池田誠・著)の34ページからです。詳しい方がいらっしゃったら教えてください。よろしくお願いします。 電流が開放端で反射すると極性反転する(電流0)? 再度の質問ですが、 電線路上での高周波「電流と電圧」が、末端で反射する場合、 (電圧) 開放端=自由端反射?=極性反転せず?=合成すると電圧2倍? 短絡端=固定端反射?=極性反転する?= 〃 電圧0 ? (電流) 開放端=固定端反射?=極性反転する?= 〃 電流0 ? 短絡端=自由端反射?=極性反転せず?= 〃 電流2倍? ということになるのでしょうか? 注目のQ&A 「You」や「I」が入った曲といえば? Part2 結婚について考えていない大学生の彼氏について 関東の方に聞きたいです 大阪万博について 駅の清涼飲料水自販機 不倫の慰謝料の請求について 新型コロナウイルスがもたらした功績について教えて 旧姓を使う理由。 回復メディアの保存方法 好きな人を諦める方法 小諸市(長野県)在住でスキーやスノボをする方の用具 カテゴリ 学問・教育 自然科学 理科(小学校・中学校)化学物理学科学生物学地学天文学・宇宙科学環境学・生態学その他(自然科学) カテゴリ一覧を見る OKWAVE コラム 突然のトラブル?プリンター・メール・LINE編 携帯料金を賢く見直す!格安SIMと端末選びのポイントは? 友達って必要?友情って何だろう 大震災時の現実とは?私たちができる備え 「結婚相談所は恥ずかしい」は時代遅れ!負け組の誤解と出会いの掴み方 あなたにピッタリな商品が見つかる! OKWAVE セレクト コスメ化粧品 化粧水・クレンジングなど 健康食品・サプリ コンブチャなど バス用品 入浴剤・アミノ酸シャンプーなど スマホアプリ マッチングアプリなど ヘアケア 白髪染めヘアカラーなど インターネット回線 プロバイダ、光回線など
お礼
ありがとうございました! そして、↓のみなさん、いろいろと回答をありがとうございました。