TDDB測定での破壊時のQについて

質問

現在、半導体測定についての勉強をしていて、TDDB測定の破壊時のQ（Qbd）について分からないことがでてきましたので、質問させていただきます。

電荷量QはQ=itで求めるとすると、tは総ストレス印加時間だと思うのですが、iがどの時点でのiかがわかりません。
iには、一定時間ストレスをかけた後に、試験電圧を流して取得した電流値を用いればよいのでしょうか？

回答No.1

Drunk

定電流であれば、Q=itですが、
定電圧であれば、積分　Q=∫idt　になります。

お礼

ありがとうございました。
お礼が送れて申し訳ありません。