バリキャップの温度特性目安について教えてください。

質問

お世話になります。
現在、回路中にコイルとコンデンサ＋バリキャップの同調回路を構成していますが、設計上バリキャップの温度特性をどう捉えていいか思案しています。
コンデンサ自体は公開されているデータシートに温度特性グラフが見られますがバリキャップのデータシートでそのような記載があるものがありません。
詳細はメーカーへ問い合わせたいと思いますが、一般論としておおよその変化率等ご存知の方、または記載のあるサイト、文献等ご紹介お願いします。

以下、条件です。

・同調周波数4MHz
・バリキャップ容量変化範囲10pF～50pF
・バリキャップ電圧0.3V～2.5V

よろしくお願いします。

回答No.1

noname#230359

参考URLのデータシートの例では、
静電容量の温度係数は、0.3Vにおいて、800 ppm/K　程度
　　　　　　　　　　　 10Vにおいて、160 ppm/K　程度

採用予定のデータシートをご覧になれば、必要なデータが掲載されていると
思います。

オープンループで使おうとするには、温度特性が少々悪いように思います。
PLL回路のように、負帰還ループ内で使えば問題ないでしょう。

静電容量は、p-nジャンクションを逆バイアスしてできる空乏層の厚さに
反比例します。誘電率は、シリコン結晶の物性で決まります。
半導体工学の基本を丁寧にひもとけば、データシートよりも本質に迫る
ことができると思います。

http://akita-nct.jp/tanaka/kougi/2008nen/4e/5-2seiden.pdf

上のURLに、空乏層の厚さを求める式が載っています。
ドナー及びアクセプタの濃度ND、NAの濃度の温度依存性を調べれば、
容量の温度依存性を計算できる筈です。

なお、ドナー又はアクセプタの濃度は極めて低いので、シリコン結晶の
誘電率には、ドナー及びアクセプタの濃度の影響は無視してよいと思い
ます。

参考URL：

http://www.jp.nxp.com/documents/data_sheet/BB156.pdf

お礼

ohkawa様

回答ありがとうございます。
お礼遅れて申し訳ありません。

検討中の東芝製ではデータシート記載がありませんでした。
ＮＸＰ製ではきちんと掲載されているんですね。

今回はメーカーへデータ問い合わせしました。

得てして与えられた情報で設計しようとしますが、動作原理の本質を理解すればいろいろな場面で応用、トラブルシューティングに有効ですね。

教えていただいた情報をとっかかりに勉強してみます。
ありがとうございました。