FETのDV/DT破壊のメカについて

質問

いつもお世話になります。
FETのDV/DT破壊のメカについて、分かりやすい説明を求めております。
背景としては、外置き負荷（RLY）をFETにて駆動しておりましたが、メカSW駆動の必要があり、FET並列接続しましたら、メカSWのON/OFF耐久評価時FETが壊れてしまいました。FETの参照文言より、DV/DT破壊が有力な犯人とは分かったのですが、そのメカニズムの説明がよく分かりません。私の理解度としては、本や、講義などを通じFETの原理は把握しておりますが、さすが DV/DT破壊の説明は理解できませんでしたので、どなたか分かりやすく説明できる方の力を借りたいです。　参考までに、上記の対策としては、バイポーラTrにて解決しました。

回答No.2

noname#230359

はじめまして！
外置き負荷のメカスイッチとはどのようなものでしょうか？
等価回路などで表現できるでしょうか？　FETに流れる電流および電圧の上昇など（LCRの過渡現象）、許容値を超えることが起っているのではないでしょうか？その他、浮遊容量やGNDの電位差などでもFETに過渡現象が見られることがあります。またFETに内蔵する逆ダイオードの耐量不足なども要因としてあります。

dv/dtについては、下記の資料も参考になると思います。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/shared/presentation_pdf/powerdevice_trend.pdf
こんなサイトがあるなんて！
http://www.geocities.co.jp/Technopolis/5348/fet.html
こんな資料もありました！
http://www.national.com/JPN/appinfo/power/files/PowerDesigner107_J.pdf
ちょっと専門的ですが
http://www.national.com/JPN/an/AN/AN-558.pdf

書籍のご紹介
CQ出版社：パワーMOS FET 活用の基礎と実際
日刊工業新聞社：パワMOS FETの応用技術 第二版
　　　　　　　　よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門
まずは！

回答No.1

noname#230359

毎度ＪＯです。
単にＦＥＴの容量不足ではないでしょうか？
バイポーラTrに変更しなくとも、電流容量の大きな物に変更でよろしいのでは

参考文献は下記参照ＵＲＬ

参考URL：

http://www.necel.com/quality/ja/download/C12769JJ5V1IF00_ch03.pdf

お礼

Advice、ありがとうございます。
参考までに、FETの容量を上げても起こるようです。
以前にも同じアプリ（FETとメカSWが並列につながっている場合）でFETが破損した経緯があるようで、KnowHowとして、このような回路にはFETを使用しないということでした。
参考文献にも、DV/DT破壊の説明はありますが、ちょっと理解に苦労しています。もうちょっと眺めてみます。
再度、ありがとうございます。