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大電流のサージ試験回路について
- 直流大電流サージ試験（充放電）について詳しく教えていただけませんか？
- 試験条件や試験回路の構成についてもご教示ください。
- また、半導体スイッチの選択と制御方法、相互逆流防止ダイオードの選択、半導体の冷却方法についてもアドバイスをいただきたいです。
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毎度ＪＯです。 充放電試験は連続して行われるのですか？？ ディユーティによっては、試験回路構成が変わってきますが・・・・ これほどの電流ですと、コンデンサリードと試験回路のケーブルの リードインダクタンスとリードインピーダンスが大きく影響するでしょう、 回路の各定数を計算するのも大変ですね。 １）半導体ｽｲｯﾁの選択と制御方法 最近のMOSFETは0.001Ω程度のスイッチング抵抗があります、１０個パラでも 0.0001Ω（理論値）で1100Aですと0.1V程度の電圧降下がありますね、 MOSFETは入力容量が大きいので、これを充放電するドライブ回路がネックになります、CMOSFET１個あたり2000Pていどなので、１０個パラで20000Pもあります 十分な速度でスイッチングしないと、MOSFETからの発熱が多くなります。 ３）MOSFETからの発熱はドライブ回路と、連続充放電のディューティーにより発熱がまったく違ってきます。 以前AC800Aの連続定格試験機を設計したのですが、大電流になると思いもよらない現象が起きます、私は弱電が専門なのですが、その道の専門家と相談しながら設計しました、 質問者様も周囲に関係者は見えないのでしょうか？ 大電流の試験機を設計した経験ですと、試験回路は「短時間」だからと言う発想は捨てて、フルスペック「１１００Ａ」が連続して流せる回路が必要になります。 電源・配線・制御回路などがフルスペックでなくてはなりません、 一見無駄に思えますが、経年劣化や予期せぬトラブルを回避できます。 MOSFETのドライブは、トランジスタによるコンプリメンタリでドライブできるでしょう、この場合ドライブ回路の電源は＋１５Ｖ及び－５Ｖは必要です。 ＦＥＴの入力容量のバラツキはシュミレーションしてみるか、 実際のドライブ回路から、ダミーとなるコンデンサを複数個、 それもＦＥＴのばらつき以上の容量差でもって、テストされては？？ 私も結果が気になります、ぜひ結果をお知らせください
お礼
まっつたく手探りの状態であり、貴重なご意見有難う御座います。 ご指摘のＦＥＴの入力容量が制御上ネックとなっておりまして、 配線等のインダクタンスも無視出来ない状態にあります。 ご丁寧なご指導有難う御座いました。 ご指摘の通りフルスペックで試験回路の設計を行いたいと 思います。ＦＥＴドライブは入力容量のバラツキが懸念されるため 前段に電流ブースと回路を付加し時定数バラツキを押えれば複数個 パラレルｽｲｯﾁﾝｸﾞでも可能か？が焦点です。サージ電流最大50us以下の 時間よりバラツキがあっても大丈夫か？です。 回路はＤＣ／ＤＣを使いﾌﾛｰﾃｨﾝｸﾞ方式を採用したいと思います。 色々ご指摘有難う御座いました。経験された方の意見は大変参考に なります。試行錯誤でトライ＆エラーを積み重ね、実用に共せるよう 頑張ってみます。また、ご助言等御座いましたら宜しくお願い致します。 本当に、有難う御座いました。m(_ _)m
補足
>充放電試験は連続して行われるのですか？？ ディユーティによっては、試験回路構成が変わってきますが・・・・ ＊連続試験で５０００回以上～と考えております。 >質問者様も周囲に関係者は見えないのでしょうか？ ＊誠に申し訳御座いませんが残念ながらおりません(^^;