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NiOはp型半導体ですが、何かをドーピングしてホー
NiOはp型半導体ですが、何かをドーピングしてホールをへらすことはできますか?
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下の例は、むしろ Li+ という1価イオンの酸化物をドープして、Ni2+ と Ni3+ を互いに遷移しながら空孔(ホール)を動かせてしまう NiO の価数を意図的に変えて、空孔(ホール)を増やすアイデアですが、 ナレッジ-無機固体の半導体と原子価制御 - 山形大学 https://a.yamagata-u.ac.jp/amenity/Knowledge/KnowledgeWeb.aspx?DSN=electrochem&nKnowledgeID=1533 これを、ホウ素やアルミニウムのような3価にしかならない(遷移金属のように価数がいろいろ取りにくい)典型元素をドープして、NiO の自然にできてしまうアンバランスによる空孔(ホール)の比率を下げるよう、Ni3+ のフリをする3価陽イオンをドープさせることで、Ni2+の相対的比率を下げるしかないかと思います。 酸化ニッケル 半導体 3価イオン ドープ - Google 検索 http://www.google.co.jp/search?q=%E9%85%B8%E5%8C%96%E3%83%8B%E3%83%83%E3%82%B1%E3%83%AB+%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93+3%E4%BE%A1%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%B3+%E3%83%89%E3%83%BC%E3%83%97
お礼
ありがとうございます。 状態図を見ながらドーピングさせやすそうな3価元素を探してみます。