MOSFETが壊れる理由

質問

添付図面
赤丸のMOSFET(Pch)が破壊されるときの原因はなんでしょうか？
中央の IC はMAX17126A というものです

基板実装時の半田不良等あるかとおもいますが、考えられうるケースを教えてください

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回答No.4

xpopo · ベストアンサー

今晩は、

>外付けP-chMOSFEは μPA1914　というものです
>(ネットで検索すればデータシートありました)

　μPA1914のデータシートを確認できました。

>負荷条件（仕様）とはどういうものでしょうか？

　外付けP-chMOSFEは μPA1914のドレイン（AVDD)
から電力を供給する負荷の電流値、電圧値さらに負荷は抵抗性か？あるいは誘導性か？
または容量性か？というようなことです。

　それから、これは前回指摘すべきことでしたが、回路図に使われているC、R、Lの
値が記載されていません。
　また、step-up回路のスイッチング周波数も不明です。

　上記のような詳細な情報が不明ですが、P-chMOSFEが壊れるモードとしては可能性として

１）VDSがP-chMOSFEの最大絶対定格を超えてしまい、過電圧破壊に至る。
　　制御ループの位相補償が適切でない場合、step－upコンバータの起動時の
　オーバーシュートが大きくなり定格のVDSを超えてしまった場合など。

２）Vｇｓが中途半端な電圧（スレッショールド電圧Vthより少し高い電圧近く）の状態
　の時にIdsが流れてかつVDSも大きな値の場合に最大許容電力を超えてしまい熱破壊に至る。

の２つが考えられます。

お礼

ありがとうございます
参考になりました

回答No.3

xpopo

以下の情報が必要です。

(1)外付けP-chMOSFEの型番および詳細仕様
(2)外付けP-chMOSFEの負荷条件（仕様）

上記の２つの情報が不明ですので原因を推定するのは
難しいです。情報の開示をお願いします。

補足

外付けP-chMOSFEは μPA1914　というものです
(ネットで検索すればデータシートありました)

負荷条件（仕様）とはどういうものでしょうか？

回答No.2

アウストラロ ピテクス（@ngkdddjkk）

ゲート前に直列と並列に抵抗の挿入とかですかね。ダンピングと、電流を逃がすためです。
突入電流を抑える為に容量入れたいですが、発振する可能性があるので入れるのはあまりオススメしないです。

お礼

ありがとうございます
参考なりました

補足

回答ありがとうございます
もしよろしければ、「電流を逃す」「突入電流を抑える為に容量追加」「発振する可能性」
の詳細についてもご教授いただけますでしょうか？

回答No.1

アウストラロ ピテクス（@ngkdddjkk）

う～ん。よくわかんないですが、
IC内部の電流源を直接ゲートに繋いでいるから、過電圧がかかった？

入力前段を考え直すとか。

補足

さっそくの回答ありがとうです
入力前段とし具体的にどのあたりでしょうか？