1.2nFに12Vまで充電すると14.4nCの電荷が移動します。12Vの電源から14.4nCを一回供給するとき、消費エネルギーは12V x 14.4nC=0.173uJです。充電が毎秒24,000回行われれば、0.173uJ x 24kHz = 4.2mWが消費されます。これが全てゲートドライバで消費されたとしても、たいした電力ではありません。従いまして、この程度のゲート容量の放電電流が大きな発熱の原因となることは無いと思います。
オシロスコープ無しで原因を調べるには、負荷を外してみる、FETの電源を外してみる、OFFしている反対側のたすきのFETを外してみるなどの方法が考えられます。
負荷を外して駆動し、これで発熱が無くなったら、OFF時の環流によって生じる負電圧又は12Vを超える電圧が影響している可能性があります。OFF時の環流路は考慮されているでしょうか?FETの電源を切って発熱が無くなったら、ドレイン~ゲート間の帰還容量が怪しいかもしれません。反対側のたすきのFETを外して発熱が無くなったら、たすきのOFF側の回路の影響を考えてみてください。この間たすきのOFF側の回路は確実にOFFされているでしょうか?
ここまで書いて質問文を読み直してみたら、最初の文がちょっと気になりました。PWMでOffする時にたすきの反対側がONしてしまうようにはなっていないですよね。
お礼
ありがとうございます、解決しました。ゲート耐圧に加えて、ゲートドライバ周りのコンデンサが不十分で、オーバーシュートやリギングがあったことが故障の原因と考えています。