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半導体大口径450mm化ウェハ規格?

近年首記半導体業界で現在の300mmウェハから450mm化の話が出ておりますが、現時点でSiウェハに関して詳細な規格化が既に完了しているのでしょうか?基本的な部分であるこの規格が定まらないと装置開発など先へ進まないと思うのですが?

みんなの回答

  • semitaro
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回答No.2

今更の回答で申し訳ありません。 450mm関連のウェーハ規格は、現在、以下の2種類が出版済です。 一つ目は、ウェーハキャリアやロボットなどの開発向けの 「SEMI M74-1108 SPECIFICATION FOR 450 mm DIAMETR MECHANICAL HANDLING POLISHED WAFERS」であり、2008年11月に出版されています。 二つ目は、装置/プロセス開発用ウェーハである 「M76-0710 SPECIFICATION FOR DEVELOPMENTAL 450 mm DIAMETR POLISHED SINGLE CRYSTAL SILION WAFERS」であり、2010年7月に出版されています。 現在、製品グレード用のウェーハ規格開発を行っているようです。 なお、キャリア、装置I/F等のハードウェア規格も決まっているようです。 規格内容詳細に関しては、SEMIWebサイトよりご確認をお願いいたします。 http://www.semi.org/

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  • trytobe
  • ベストアンサー率36% (3457/9591)
回答No.1

一枚に出来る限りの個数の回路を敷き詰めるように製造する都合と、ウェハの周囲のロスを減らす観点から、出来る限り径が大きいウェハのほうが有利なのは確かです。 あとは、設備を更新するくらいの投資をするなら、それを取り戻せるほどロスが減らせるような格段の更新をしないと商売になりません。 もともと、半導体を製造するためのシリコン金属のインゴットの径が、インチ(25.4mm)刻みでラインナップされてきたこともあり、約12インチの300mmから、次の投資に見合うのは18インチ(450mm)まで1.5倍の径にするのが良かろう、というのが業界で自然に目標値として意思統一が進んだようです。 資料室(その他参考情報) > 標準技術集 > 半導体製造装置関連真空・クリーン化技術> 1-1-1 単結晶引き上げ装置(1) - 特許庁 http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gijutsu/semicon_vacuum_tech/1_1_1a.htm EETimes_com - Industry agrees on first 450-mm wafer standard http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=211300360&pgno=1 Semiconductor industry looks ahead to 18-inch wafers Hardware - InfoWorld http://www.infoworld.com/t/hardware/semiconductor-industry-looks-ahead-18-inch-wafers-731 Wafers to get bigger - The Inquirer http://www.theinquirer.net/inquirer/news/1591187/wafers-bigger インゴット製造のるつぼについては2インチ刻みくらいで対応できるようにしていますが、半導体メーカーは12インチウェハの次は18インチで、その間は想定していない(コスト的にも技術革新の所要期間としても、設備更新の割に合わない)というのが、実質的な標準化の背景と思われます。

yoshiyoshi9005
質問者

お礼

大変良く判りました。 有難うございます。 これを読ませて頂いた限り、450mmウェハの規格は、未だ正式なものとして決定されてはいないようですね? 有難うございました。

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