※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：論理デバイスのシリコンダイオード構造について質問です。）
論理デバイスのシリコンダイオード構造について質問です。
このQ&Aのポイント
シリコンダイオードのバンド構造とフェルミ準位について解説します。
逆バイアス時のバンド構造図と求める式について説明します。
シリコンダイオードの問題を解くために必要な物理定数をまとめます。
論理デバイスのシリコンダイオード構造について質問です。
論理デバイスの授業での問題でわからなくて教えてください。
下記シリコンダイオード構造において、ドナー型不純物濃度(Nd)とアクセプタ型不純物濃度(Na)が互いに等しく Nd = Na = 3×10^16cm^(-3)とし、また、温度に関しては室温とし、以下答えよ。
(1) シリコンの禁止帯幅Egを1.12eVとし、熱平衡時のバンド構造図を下記解答欄に示せ。このとき、フェルミ準位はどこにあるか？図の中に定量的に示しなさい。
ただし、Nc = 2.8×10^19cm^(-3)、Nv = 1.04×10^19cm^(-3)、ni = 1.5×10^10cm^(-3)とする。
また、素電荷量 = 1.6×10^(-19)[C]、ボルツマン定数 = 1.38×10^(-23)[J/K]とする。
(2) 1V逆バイアス時のバンド構造図を示せ。
物理定数：真空中の誘電率= 8.854×10^(-14)[F/cm]、シリコンの非誘電率= 11.7
この問題の求める式とかはどうしたらいいですか？
よろしくお願いします。
