外部微分量子効率の見積もりについて（半導体レーザー）

質問

半導体レーザーの外部微分量子効率を評価する方法に関する疑問です。

一般的には、I-Lプロット(注入電流に対する光出力のプロット)の発振しきい値以上のスロープ(dP/dI)に(e/h_bar*omega)をかけることで、外部微分量子効率は見積もられると思います。
(eは素電荷、h_barはプランク定数、omegaは光の角周波数)

このとき、文献等を見ると、omegaは真空中の光の角周波数を用いているのですが、レーザー導波路の屈折率を考えなくてもいいのでしょうか?
(光速cをc/nとしなくていいのか?ということです。)

基本的なかつ非常に簡単なことなのかもしれませんが、このことが気になっています。
どうぞヒントでもいいですから教えてください。
よろしくお願いします。

回答No.1

walkingdic · ベストアンサー

真空中でも空気中でも光の角周波数は同じですよ。それが変わったらおかしいでしょう。変化するのは光の郡速度であり、それは光の波長の変化になりますけど、角周波数は変化しようがありません。（ドップラーシフトでも起きないとだめですよね）

別の見方をすれば、ｈω（ｈはバーつき）は光子１個のエネルギーをあらわしていますから、光子が物質の中を通るときに変化してしまったら、それはエネルギー保存則からするとおかしいことわかるはずです。どこからもエネルギーをもらわず、エネルギーを失っていないのですから。

お礼

早速のご回答ありがとうございました！

そうですよね・・・。
お恥ずかしい限りです・・・。

光の郡速度と勘違いしいたようです。
エネルギー保存則の例も非常にわかりやすかったです。