トランジスタ増幅回路のカップリングコンデンサ
バイポーラトランジスタ1個を使用した増幅回路が、様々な書籍で見られますが、入力側にカップリングコンデンサがある回路図が多々あります。
回路のタイプとして次の条件を前提とします。
・小信号の電圧増幅で低周波を扱う
・エミッタ接地回路でA級増幅
・固定バイアス増幅回路
この回路の場合、バイアスをかける準備として、入力側の直流成分をカットするためにカップリングコンデンサを使用すると認識しています。
ですが、回路図を見ると、電解コンデンサ（アルミかタンタルかわかりませんが）が使われていたり、そうでないコンデンサが使われていたりマチマチです。また、電解コンデンサの場合、＋極性はトランジスタ側となってます。
そこで質問です。
１．電解コンデンサとそれ以外のコンデンサとどちらが一般的でしょうか。もしくは、コンデンサの種類の決め方があるのでしょうか。今回の場合は低周波用だと思いますが、それでも幾つかの種類があります。どの様な考え方で選択すればよいのでしょうか。
２．電解コンデンサの場合、＋極性はトランジスタ側になりますが、
入力信号（mV程度）＜ VBEベース・エミッタ間電圧（0.7V程度）
という大小関係からくるものでしょうか。
長い質問になりましたが、よろしくお願いいたします。
トランジスタはnpn型で考えてます。
