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あります。 シリコンダイオードとゲルマニウムダイオードの違いを簡単に言いますと、 Geダイオードは、順方向電圧が0.1V程度と小さく、微弱な信号を扱う回路に用いられます。 一方、Siダイオードは順方向電圧が0.7V程度とGeダイオードよりも大きく、小さな信号には適さない反面、逆方向耐圧や温度特性、その他、多くの点で優れた特性を持っています。 そもそも半導体自体の性質では、GeとSiでは、次のような違いがあります。 エネルギーギャップ Ge 0.67 Si 1.11 密度[g/cm3] Ge 5.32 Si 2.33 真性キャリア濃度[cm-3] Ge 2.4×10^13 Si 1.45×10^10 移動度[cm2/Vsec] Ge 電子 3900 正孔 1900 Si 電子 1350 正孔 480 誘電率 Ge 16.3 Si 11.7 融点[℃] Ge 937 Si 1415 比熱[J/g℃] Ge 0.31 Si 0.7 熱伝導率[W/cm℃] Ge 0.6 Si 1.5 など。。。 このように元々の物質としての重要な性質が異なるため、電子部品でもその影響は異なることになります。 ダイオードなどの電子部品としての電気的特性の違いなどは、規格表で調べるといいです。
