真空電子デバイス

質問

真空中は電子の移動抵抗が低くなる事に着目した考えのようで、半導体などへの応用が研究されているようです。

これは実際にデバイスのある部分に真空構造を造り込むという事なのですか？そんな事できるのですか？題記のデバイスの意味がよくわからず困っています。非常に初歩的な質問で恐縮ですが、ご存知の方は是非教えてください。

回答No.2

Teleskope

>>　題記のデバイスの意味がよくわからず困っています。 <<

　課題なのかしれませんが、先端技術の質問は掲示板には馴染まないようです。自力で文献をあたりましょう。

>>　デバイスのある部分に真空構造を造り込むという事なのですか？そんな事できるのですか？ <<

　ごく簡単に言ってしまえば、例えば結晶の格子原子間は真空ですよね。
よく知られてる例を紹介します、一般向けの記述なのでイメージつかみやすいでしょう、ピンボールはゲーム機でバンパーはボールが当たるとはじき飛ばす障害物です。　バリスティックトランジスタの名が文献に現れるのは20年ほど昔からです、実現化に近付きつつあるんでしょうね。　IGBTの名を初めて聞いたときこれが商品化されたのかとビックリしたという話を聞いた事があります。

http://www.bell-labs.com/news/1999/december/6/1.html

お礼

アドバイスありがとうございます。が、仰っている事が良くわかりません。「格子原子間は真空…」本当でしょうか？固体でも？液体の場合は？それはおいといて、結晶構造をもつデバイスはみな真空電子デバイス？

IGBT等で例えばHeをドーピングして欠陥を作った場合、その様なデバイスを真空電子デバイスと呼ぶのでしょうか？違うような気がするのですが…。それとも私の質問がピント外れですか？

回答No.1

saityan

ここのＨＰを覗いてください。
判りやすく解説していますよ。

http://device.eng.toyama-u.ac.jp/microd/ouyou.html

参考URL：

http://device.eng.toyama-u.ac.jp/microd/ouyou.html

お礼

ご回答ありがとうございました。判り易く記述されていますね。しかしHPの構造図では、具体的にどの部分が真空かは記述がありません。エミッターアノード間が真空になっているのでしょうか？単に真空工程で作るって事ですか？
変な質問ですみません…。