J-FETのバイアス用の直流電源について

質問

J-FETの入力側（抵抗を挟んだゲート－ソース間）にVD（これによってVGSのバイアスができる），出力側に（抵抗を挟んだドレイン－ソース間）VBという直流電源を加える（これによってVDSのバイアスができる）ようですが，このVD，VBのサブスクリプト(下付き文字)の意味はどこから来ている（何の頭文字）のでしょうか？

回答No.4

blueteeth7 · ベストアンサー

VBは昔、真空管時代にフィラメントの電源をA電源、プレートその他の高圧電源をB電源と言っていたこと
に由来するのでしょう。
VDは知りません。
先生に直接聞いてみられたらどうですか？
適切な返事が返ってくればそれでよし、ひょっとしたら先生の方で、そういう表現が現代では
受け入れられないことに気が付いて、今後はそういう使い方をやめられるかもしれません。(^_^;)

お礼欄書き込みの前半、内容は理解できますが、そのことが何故、タイトルの「・・・バイアス用・・・」と
関連するのかが、わかりません。
質問内容にもRFを意識する用語は、まったく含まれていません。

お礼

回答ありがとうございます。勇気を出してもう一度先生に聞いたらblueteeth7さんが言われるように「VBは昔、真空管時代にフィラメントの電源をA電源、プレートその他の高圧電源をB電源と言っていたことに由来するのでしょう。」というようなことでした。
VDは僕の聞き間違いのようです。ゲートと言う事でVGの方がいいんではということでした。結局、たまたまそれらの記号を使われただけでした。教科書のようにVDDやVGGなどでもよいということでした。

回答No.5

blueteeth7

よかったですね。
先生も今後はあなたに一目置かれるでしょう。(^_^;)

Rossanaさんがあちこちで良いご回答をなさっておられるのを拝見しています。
わたしは計算が苦手です。
インピーダンス整合はしょっちゅう必要になりますが、イミッタンスチャートのソフトで、パパッとやります。
原理的なことは昔やりましたが、完全に忘れました。

しかし学生時代には、手計算で解いて基礎（原理？）を憶えることが大切でしょうね。
ガンバってください。

お礼

いろいろと教えて頂いて本当にありがとうございました！
インピーダンス整合は高周波の世界では，できて当たり前にしておかないといけないようなのですね．何でもソフトでできる時代になってきたのですね．時代の流れについて行かねばいけないですねf(^^;僕は手計算の方が好きで，プログラミングがあまり得意でないので，プログラミングがもっとできるようになりたいです．でも，なかなか慣れませんf(^^;

回答No.3

blueteeth7

1.アマチュアです。
　したがって専門家のかたほどには、理詰めの考え方は持っていません。

２．過去スレ拝見しました。
　J-FETもHEMTも直流動作的には同じですから、図記号は同じでよいと思います。
　しかし、RFでの振舞いは違いますから、回路図の方では、それに応じた表記が必要と思います。
　（LやCの記載を曖昧にしてはいけない、という意味）

３.>もう少し詳細をこちらが述べるという意味ですか？

　そのとおりです。
　未だ、回答に納得されていないと思いますが、当方にもご質問の要点がわからないので、補足して
　ほしいという意味です。
（勿論、締め切られても結構です）

回路電源を[ＶB]と書くのは、昔の人がよくやる記法ですね。
真空管時代の名残と思います。
トランジスタ回路であれば、[Vc], FET回路であれば[ＶD]を使いますが、混在している回路ではどちらを
使ってよいかわからない・・・したがって[VB]を使う、という人もいるようです。

蛇足ですが、前回ご回答のTele・・・さんは、本当にレベルの高い方で、あちこちで良いご回答を
なさっておられるのを拝見しています。（スペルが一箇所違いますね。(^_^;)）
「経験者」で書いておられますが、「専門家」でもおかしくないように思います。
ただ内容が極めて高度で、初心者にはわかりづらいときもよくありますね。(-_-;)

お礼

回答ありがとうございました．
詳細をもう少し言うと，
スミス・チャートを用いて入力と出力の両方でインピーダンス・マッチングを行なうとLやCが入りますが，直流成分(直流電源VB，VD)に対してはそれらは短絡と開放となり，抵抗だけが残る回路となるというわけです．
VB，VDは昔の記法なのですね．真空管時代にはそれらはどのような意味でBやDが使われたのでしょうか？
参考となるサイトなどをご存知ならば教えて頂けますか？

回答No.2

blueteeth7

お礼欄のカキコを拝見しました。

後半の内容も了解です。
差し支えなければ、ご質問を継続していただけませんか？

J-FETの一般的な回路かと思っていました。
RF回路はわたしの得意な分野です。
お力になりたいと思っています。

お礼

回答ありがとうございます．blueteeth7さんは実際に高周波回路に携わっておられる方なのでしょうか？僕は学生なのですが，専門家の先生がそのような記号(VB，VD)を使われたので．高周波回路なので，J-FET(回路図上ではその記号で表わすようですね)と言いましたが，実際にはHEMTを指します．
>差し支えなければ、ご質問を継続していただけませんか？
もう少し詳細をこちらが述べるという意味ですか？それとも締め切りをしないで回答を待つということでしょうか？

補足

ちなみに，
http://okweb.jp/kotaeru.php3?q=1011546
でJ-FETでHEMTを表わすと教えて頂きました．

回答No.1

blueteeth7

質問の意味がよくわかりません。

>抵抗を挟んだゲート－ソース間
>抵抗を挟んだドレイン－ソース間

これは、ゲートとソースの間、ドレンとソースの間にそれぞれ抵抗を入れて・・・という意味でしょうか？
通常そういうバイアス回路はないと思うのですが？
（特に後者）

>VBという直流電源を加える、これによってVDSのバイアスができる・・・

ＶBは電源そのものの意味でしょうか？

一般に（小信号回路の場合）、J-FETはセルフバイアスで使います。
（ソースーGND間に抵抗を入れた回路）
もちろん、外部からマイナス電圧をかけてやる使い方もありますから、そのことを言っているのかな、
とも思うのですが、どうも上記ご説明ではピンときません。

恐れ入りますが、補足をお願いします。

お礼

回答ありがとうございます．blueteeth7さんがおっしゃられるようなことですべてあってます．
普通の教科書はVBやVDという表記が使われていないのですが．高周波回路で，直流分に対してはキャパシタ，インダクタは開放，短絡になるので，結局抵抗だけが残るという感じです．