沿面距離について

質問

CEの確認で沿面距離について確認していたのですが、
よくわかりませんのでご教授下さい。

沿面距離は、導体から導体までの距離の事だと思います。
ですが、トライアック、レギュレータなどの三端子部品の足を見てもそれだけのピッチをとれていない様に思えます。

また、多層基板は、物理的にそれだけの距離をとれないと思います。

沿面距離はどう考えればよいのでしょうか？
概要を教えていただければ幸いです。

回答No.2

noname#230359 · ベストアンサー

沿面距離とは、絶縁物の表面に添って測る導体間の距離です。
絶縁物の中（バルク）については、導体間の直線距離が小さくても、沿面距
離には関係しません。

トライアック、レギュレータなどの三端子部品の足の間隔が所要の沿面距離
を満たさない場合、原則としてその部品は使えません。
ただし、短絡開放試験を行って、部品が燃えるようなことが起こらなければ
沿面距離の不足が認められる場合もあると思います。適用する安全規格及び
引用規格を詳細に読んでみてください。

また、沿面距離の不足する部分に、シリコーンRTV等を塗布して、沿面距離
の不足を回避できる場合もあります。

お礼

導体部が露出している箇所だけ考えればよいのですね？
シリコーンRTVを塗布するのが一番簡単で安心ですね。
ありがとうございました。

回答No.5

noname#230359

＞　ですから、パワー系以外は低電圧作動のASIC等を検討するのです

何ボルトの違いかも知らない、まったくの見当間違い。。なことは質問者が遥か詳しいのでは

低電圧動作は省エネ対策。CPUなど高速動作＝電力喰い　なものは熱破壊を防ぐための省エネ化も。

この回答（6）もデタラメ。というより提示の資料は適切だが読む能がない。
この質問者は他の回答で納得されたのに、全くのお邪魔虫。

　　http://mori.nc-net.or.jp/EokpControl?&tid=301948&event=QE0004

回答No.4

noname#230359

ですから、パワー系以外は低電圧作動のASIC等を検討するのです。

回答No.3

noname#230359

＞また、多層基板は、物理的にそれだけの距離をとれないと思います。

問題は回路電圧です
１００Ｖとか２００Ｖ、４００Ｖならそれなりに広い沿面距離は必須だけれど
３．３Ｖとか５Ｖとかならそれなりに狭いピッチでＯＫ
そもそもピッチ幅１．２７ｍｍとかの回路に１００Ｖ掛けないでしょ？

これくらいになると３０ｍｍくらいになったりするけど？
http://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/products/powermod/igbtmod/index.html
http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/model/igbt/

お礼

回路電圧で考えればよいのですね。
ということは、100V用のトライアックなどが要注意ですね。

回答No.1

noname#230359

最大定格に耐えられる大きめのパッケージ形態を選択すればいいだけですが
小さめのパッケージのものを使いたい場合には
リードを３次元にフォーミングすれば良いでしょう。

こういう部品で安易に設計すると破綻する
　http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-09132/

＞フォーミングしても部品の足の根本の距離は変えれない

そうですね。
デバイス側は、ナゼか慣例として空間距離換算でＯＫなので大丈夫ですよ
汚染度が高い環境ならその規格を満たすデバイスを選択する必要あり。

半導体メーカーもバカじゃないので定格で使えるパッケージをラインナップしているのでそれを使って設計すれば良いんです。熱設計と一緒です。
パワーデバイスは真ん中のピンはケーシングと同電位になっていて
設計者の腕でＰＣＢ上の沿面距離を稼げる仕様のことが多いですよ。

お礼

ご回答ありがとうございます。
フォーミングですが、フォーミングしても部品の足の根本の距離は変えれないと思うのですが、基板面で離れていれば、部品の根本の距離は近くてもOK!となるのでしょうか？ご教授下さい。