チョッパー式整流器

質問

半導体部品の外装メッキ（鉛フリー）をしておりますが
現在の電流方式は直流方式です。但し、薬液/装置メーカーの
意見は直流方式ではなくチョッパー式（ＰＲ式？）を
推奨されますが直流式とチョッパー式のめっき皮膜やめっきひげに
対する詳しい説明や比較データがありません。
世間一般で言われているからとのことですので
データ（報告書なり研究データ）やＵＲＬ等ご存知でしたら
教えてください。

回答No.1

noname#230359

弊社では、3,4年前に、ご質問の内容について調査した経験があります。

確かにﾁｮｯﾊﾟｰ式（弊社ではPRではなくﾊﾟﾙｽ波形）で、「平滑で緻密な粒子」「めっきひげ抑制」はある程度できますが、効果が得られたのがON TIME：OFF TIME＝5：5位からでした。同9：1程度でお考えであれば、大きな効果が得られないと予想します。

また、当時はPbﾌﾘｰめっき液が確立していなかったこともあり、電流波形よりも浴そのものにより「めっきひげ」の発生率が大きな差があったと記憶しております。

ここでの詳細はお教えできませんが「前処理」を工夫することにより、「めっきひげ」の発生は『０』にできますヨ！

ヒントになれば幸いです。是非、頑張って下さい。

例えば　ON:OFFを5：5にした場合、Ipとしては単純に電流密度が2倍になりますが、Iaveとしては電流密度は変わりありません。
整流器メーカーにより、電流値の設定（Ip表示、Iave表示）が異なるので　ご注意下さい。
参考として、弊社はスピードは落とさずに、電流値を上げる方向で評価を進めました。

8：2での効果は？についてですが、ご指摘の通りめっき浴（特に添加剤）により様々としか申し上げられません。別件で評価したことがあるのですが、添加剤の影響が大きく「効果が得られたり」「得られなかったり」しました。効果が得られるめっき浴を使用されていることをお祈りします。

また、合金めっきで検討されている場合は、電着組成にもご注意下さい。
大幅な組成変化はないと思いますが、OFF TIMEの増加とともに第二金属の析出に減少傾向がみられた記憶があります。

前処理についてですが、エッチングも有効手段のひとつです！

お礼

早速のご回答ありがとうございます。
非常に難しい問題と認識しておりとても
役に立つ情報を頂き感謝しております。
ご回答して頂いた点で何点か確認させてくだい。
ＯＮ　ＴＩＭＥとＯＦＦ　ＴＩＭＥの比率ですが
5：5からが効果があったとのことですが単純に電流値を上げるか
処理スピードを落とさざるおえないということになりますが
8：2くらいでは効果なしでしょうか？
確かにめっき液や装置の構造によっても異なると思います。

弊社の前処理については現在検討している最中です
前処理とはエッチングのことでしょうか？
ここでは詳細は・・・・ですが
どこかでは・・・

ご教示願います。