電子部品ウェーハのダイシングに関して

質問

ある電子部品の開発屋です。
ウェーハ上に金属薄膜の電極を形成し、半導体と同じようにダイシングにて、チップ(ダイ)に切断します。電極上にパシベーション膜が無いため、ダイシング中にウェーハ材料の微細な破片(μｍオーダー)が、薄膜電極に高速衝突し、電極にキズを付けてしまいます。このキズにより特性不良が生じます。
これを回避するための保護膜を検討中ですが、適当なものは何でしょうか?　ちなみにダイシングは、ハーフカットではなくフルカットです。なおダイシング後に保護膜を容易に取り除くプロセスについても、あわせてお知恵を拝借できればと思います。よろしくお願い致します。
PS／身近にあるポジ方フォトレジストを試行した経験がありますが、ダイシングテープへのダメージを伴うため、有機溶剤による保護膜剥離は出来ません。またフォトレジストを除去するための露光とアルカリ現像液塗布のプロセスですと、現像液により電極がエッチングされ、わずかながら特性に影響をきたします。
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回答No.3

noname#230359

どこのメーカーか忘れましたが、ダイス後の表面保護テープ剥離装置があったような気がします。（ダイシングテープを扱っているメーカーだったかな？。。）

やはり、まず条件を見直すのが一番だと思います。
水とカットスピードの違いでかなり影響でます。
自分も数年ダイスの条件を出していますが、最適なカット条件が出せず妥協しておりますorz　日々精進中

お礼

04-12-27 22:31 アドバイスありがとうございました。
ご経験されている方からの生のご意見は、大変うれしく、かつ重みを感じます。貴重なご意見ですので、ぜひ参考にさせていただきます。

回答No.2

noname#230359

MEMS関係のセンサ開発を行っていました。確かに、私のセンサの場合も、基板シリコンの切り粉が、Alの電極に突き刺さっていました。私のセンサでは、そのことの影響はありませんでした。実際に使うところ（ワイヤーボンドするところ）は、ストリートから少し離れているためだったと思います。
私でしたら、まずダイシングの条件（水の量、位置、ブレードの種類、加工条件）を替えてみます。
また、表面にダイシングテープ（裏面のダイシングテープとは別に）をかぶせ、カットし、表面に紫外線をかけ、チップ一個一個の表面のテープ片を取ってから、ダイボンどする方法はどうでしょうか？MEMSのセンサでは、構造物が表面にあるため、ダイシング時水を直にかけると、それが破壊するためこのようなことをトライします。

お礼

アドバイスありがとうございました。
ご経験されている方からの生のご意見は、大変うれしく、かつ重みを感じます。貴重なご意見ですので、ぜひ参考にさせていただきます。

回答No.1

noname#230359

素人回答かもしれません。見たことあるのは、弱粘着性のフィルムを貼り付けた後にダイシングフルカットをするというものです。このときフィルムはカットしません。フィルムには筋が着く程度のところの深さでカットしていました。カット後一つずつ製品をフィルムからはがしてました。

お礼

情報ありがとうございました。<(__)>
いただいた内容では、パターン面を弱粘着性フィルム側に貼り付けて、フルカットするのですネ。
残念ながら、ダイシング後にダイボンダにて、基板にマウントするのですが、フィルム側からニードルを突き刺し、浮き上がったダイをピックアップします。したがいまして、パターン面がフィルム側ですとニードルでパターンに損傷を与えることになりますので、現状では設備制約上、難しい選択となります。
質問投稿してから、だいぶ時間がたちましたが、意外に同じ悩みを持つ方が少ないなぁと感じています。
いずれにしましても、私の投稿に関心をお持ちになり、アドバイスいただいたことに、感謝感謝です。
ありがとうございました。