InGaAsP の吸収係数

質問

InGaAsPの吸収係数について調べたいのですが、どのように調べればいいのかわかりません。

知りたいのは　
InGaAsP(1.0Q～1.5Q程度)の、波長532nmのW-YAGレーザに対する吸収係数です。
フォトルミネッセンスでInGaAsPを測定する際、どの程度の深さまで励起光が吸収せず到達できるか、という宿題を出されました。

物性の本などを調べてみましたが、なかなか見つかりません。自分で計算するしかないのかな、とも思いますが、どのようなパラメータがあって、どのように計算すればいいのかすらわかりません。

漠然とした質問ですみません。
どうぞよろしくお願い致します。

回答No.1

kajyukun

たしか、直接遷移なのか間接遷移なのかで変わったと思いましたが、吸収係数は、結合状態密度（joint density of states）から導出できます。
手元に資料がないのでなんともいえませんが。

補足

回答ありがとうございます。
InGaAsPは直接遷移の半導体です。
参考になりました。ありがとうございます。