※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:LSIの無電解銅めっきプロセスについて)
LSIの無電解銅めっきプロセスについて
このQ&Aのポイント
中性無電解銅めっきによるLSI銅配線の形成について調べています。無電解銅めっきはHCHOやEDTAなどの問題があり、精度の高いLSI作りは難しいとされています。
ホルムアルデヒドを使わず、コバルトを使って銅を析出する方法もあると聞いたことがあります。この方法について詳しく知りたいです。
また、球状半導体(ボールチップ)についても理解ができていません。詳しい説明をお願いします。
中性無電解銅めっきによるLSI銅配線の形成について調べています。
無電解銅めっきは
HCHO:発ガン性があって作業環境上よくない。
EDTA:生分解が難しい。
PH12.5:水酸化ナトリウム、水酸化カリウムによるPH調整でアルカリ金属イオンによる化合物半導体の形成。
銅の析出に伴う水素ガスの発生:ガスボイドの形成。
などの問題があり、精度の高いLSIを作ることは難しいということはわかったのですが・・・。無電解銅めっきについて何でもいいので教えて下さい。
ホルムアルデヒドを使わず、コバルトを使って銅を析出する方法もあると聞いたのですがよくわかりません。
また、球状半導体(ボールチップ)についてもよくわからないので教えて下さい。
よろしくお願いします。
お礼
回答ありがとうございました。 いろいろな問題があるのに、なぜこの方法でやっているのかは疑問に思っていたのですが、今の段階ではこの方法が一番最適なんですね。 早く安全で安価にできる方法が確立すればと思います。 ありがとうございました。