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定電流回路とハイサイドスイッチについて
- 定電流回路とハイサイドスイッチについての質問です。
- 特定の状況での電流の変化について困っています。
- どのような原因が考えられるのか知りたいです。
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定電流回路は正常に動作しているがM2でスイッチングすると 定電流回路でなくなると言うことでしょうか。 その場合M1もパルス駆動することになります。 しかも、M2より高速になり得るので その速度で正常に動作できなくなる事が考えられます。 まずは、M1がその速度に応答できる性能か確認してください。 その場合速度だけでは無くてゲートを駆動出来るだけの 電流を供給できているか 周辺素子も速度に対応できているかも合わせて確認してください。 それと余計なお世話ですが もう少し回路を整理できると思われます。 例えば、V1は廃止してV3と共通化 当然R1,R2の再設定が必要 とか M2をやめてM1にパルス駆動も兼用とか まぁ シミュレーションではあまり関係ないですけど・・・
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- ohkawa3
- ベストアンサー率59% (1508/2538)
>スイッチM2のゲートにパルス電圧を印加(常にHigh = V2[V] で、ONしたいときだけ0Vに落とす)する 添付の回路図が若干不鮮明なので、確認させてください。 1) 上側のMOSFETは、Pチャネルであって、ゲートがGNDに接続され、ソースがV2によって一定の正電圧に固定されているようです。ONしたいときだけ0Vに落とすような回路接続にはみえませんが、実際にはどのような回路でシミュレーションしているのでしょうか? V2を一定電圧の直流電圧源ではなく、パルス電圧源としているのでしょうか? 2) V2の電圧は、何Vでしょうか? M2をオンさせるために必要なVGSは何Vでしょうか? 3) 想定したとおりの定電流特性が得られるのは、M2のゲートにHigh = V2[V]を与えたときですか/0Vに落としたときですか? 文章から読み取れないように感じます。
補足
回答させていただきます。まず、画像が不鮮明で申し訳ありません。 上側のMOSFETはPチャネルです。ソースはV2で、DC です。 添付した回路図は、正常に動作していると考えているときのもので、ゲートがGND で0VなのでM2は常にオン、このとき1オームのR3に流れる電流IdsはオペアンプのV(+)/R3で決まってくれます。 しかし、ゲートに10kHz, パルス幅99usの矩形波電源を新しく置いたところ(つまり、矩形波の振幅が0Vに落ちた時電流が流れるようにしたい)IdsはV(+)/R3ではなくなってしまうということです。 V2の電圧は、10Vでお願いします。 わかりづらく申し訳ありませんが、お願いします。
- TIGANS
- ベストアンサー率35% (245/681)
とりあえずは .tranの解析時間タイムスケールを秒単位にしてみましょう。
補足
ご回答ありがとうございます。 応答速度はデータシートを検索して確認してみます。 回路については確かにそうですね…整理できるところは整理してみます。