AuSnハンダによる部品実装について

質問

AuSnハンダを用いてセラミック基板（電極部）とコンデンサなどの部品を実装しています。
セラミック基板の電極部は、その下地膜構成がTi(0.1um)/Pd(0.2um)/Au(1um)となっています。部品を実装後、ダイシェア試験をするとセラミック基板の電極部から破壊され、なかなか所望の強度を得られません。
この場合の対策として、
・Auの厚さを薄くする（あるいは厚くする）
・下地のPd層を厚くする
・下地のPd層をPt層に変える（Ti/Pt/Auという構成もあるようなので）
・接合条件を変える（時間、温度など）→ただし、まずはセラミック基板側で対策を講じてみたい
などが考えられます。どれが効果的なのでしょうか？その理由も含め教えてください。
また、よく「Auが食われる」と言われます。そのため「Auは極力薄い方が望ましい」、「ハンダ付けするとどうせAuは無くなる」など定説があるようですが、Auが食われた場合、ハンダによる基板と部品の接合は、Auの下地のPd（あるいはPt）が接合することで維持されているのでしょうか？Au食われとハンダ接合のメカニズムが矛盾しているようで、理解できません。（逆にAuを厚くしてAuSnハンダからのAu食われが起きてもAuを食われきれないようにすればいいようにも思うのですが・・・）
どなたか教えてください。

回答No.2

noname#230359

電極部（Ti/Pd/Au）から破壊されるということですがどの部分で破壊されるのか調査されたのでしょうか？
例えばTiとセラミック基板間で破壊されている場合は、Ti膜作成条件不適。
PdとAu間の場合は（恐らくTi/Pd/Auは連続で製作されていると思いますので、表面汚染等は考えにくい？）言われているAuが食われた場合。
AuとAuSn間破壊（判別は難しいと思いますが）であれば、AuまたはAuSnの表面汚染、実装条件不適当
等々、不良場所によって効果的な対策が変わってくるため不良調査をしっかりやることをお勧めします。

回答No.1

noname#230359

検索しただけの情報ですが、参考になりそうな論文がありました。
電子情報通信学会論文誌 C Vol.J91-C No.11 pp.635-644
AuSnはんだを用いたGaAsチップのダイボンディング部の界面反応制御による品質改善
http://search.ieice.org/bin/summary.php?id=j91-c_11_635&category=C&year=2008&lang=J&abst=

アブストラクトによりと、Ptバリヤ層あるいはTi拡散層を適正に形成するこ
とが有効なようです。

電子情報通信学会員であれば、web上で全文を閲覧できるようですが、会員
でない場合は、図書館で閲覧するのが良さそうです。

お礼

早速の回答、ありがとうございました。参考になりそうですが、残念ながら会員ではないので図書館で閲覧することになります。