waferのそり測定・原理について

2001/09/01 10:33

このQ&Aのポイント

waferのそり測定にはどのような方法があるのか？
熱をかけるとウエーハが結晶方位や自重により変化することがある
waferのそり測定におすすめの参考資料はあるか

noname#230358

その他（電子・半導体・化学）
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noname#230359

2001/10/12 10:25 回答No.1

私は，KLAテンコールの｢薄膜ストレス測定装置｣というのを使用しています。下記URLの製品情報>プロセスパラメータ管理モジュール>薄膜ストレス測定をご覧ください。ウェーハの上をレーザがなぞって，反射されたレーザの変位からウェーハの形状を計算してくれます。(曲率半径とそりがわかります）本来は膜をつける前と後に同じところを測って，形状(曲率半径)の差から膜のストレスを算出するためのものです。オプション（かなぁ?)でヒーターもつけることができますので，温度によっての変化も見れます。私自身はヒーターは利用したことがないので，何ともいえませんが，一般にウェーハに成膜されている状態の場合，熱によって反り形状は変わってきます。(膜とウェーハの熱膨張係数の違い) その他の方法では，触針式の段差計（これもKLAテンコールにあります)を利用したりもできると思います。段差計の場合は，ウェーハの微小な凹凸や，うねりも測定条件によっては観察されます(本来はこっちが目的だと思います)ので，どの値を「そり」とみなすのかは難しいかもしれません。もっと簡易的には測長できるレーザ(??)で，ウェーハの中心部と周辺部のゼロ点からの高さを測って，その差をそりとしてみなすこともできるのではないでしょうか。本では，リアライズ社の｢トライボロジー･内部応力･密着性　薄膜の力学的特性評価技術｣をお勧めします。(というか，私は気にいってます。) http://www.rlz.co.jp/ ここで，本>材料　で調べてみてください。ところで，ガラス基板の凹凸はどのように測定されているのですか?