特許明細書の訳
お世話になっております。
公開されているとある特許明細書の訳（英日）ですが、これで正しいでしょうか？
As illustrated, the first set of semiconductor devices 28 comprises a "high" side (i.e., coupled to positive pole of DC power source) transistor Q1 and diode D1, while the second set of semiconductor devices 30 comprises a "low" side (i.e., coupled to negative pole of DC power source) transistor Q2 and diode D2. Each set of semiconductor devices 28, 30 may include additional transistor and diode pairs electrically coupled in parallel with the high side transistor Q1 and diode D1 and/or the low side transistor Q2 and diode D2, as may be suitable for the particular application (e.g., to accommodate the power ratings of the individual semiconductor devices).
図示した通り、第１組の半導体装置２８は、「ハイ」側（つまり、直流電源の陽極に結合されている）のトランジスタＱ１およびダイオードＤ１を備え、第２組の半導体装置３０は、「ロー」側（つまり、直流電源の陰極に結合されている）のトランジスタＱ２およびダイオードＤ２を備えている。第１組および第２組の半導体装置２８、３０はそれぞれ、特定の用途（例えば、個々の半導体素子の電力定格を供給するため）に適するように、ハイ側トランジスタQ1およびダイオードD1、ロー側トランジスタQ2およびダイオードD2と平行に電気的に結合された追加のトランジスタおよびダイオードの組を含んでいてもよい。
