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気相成長装置と液相成長装置について
http://oshiete1.goo.ne.jp/qa4171733.html で、質問させていただいたものです。 結晶について調べているうちに結晶成長させる機械である気相成長装置と液相成長装置というものを見つけました。これらの仕組みを知りたいと思い、いろいろ調べたのですが専門的過ぎてよくわかりませんでした。中高校生にわかるように簡単めに説明していただけますでしょうか? よろしくお願いします
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おっ またお会いしましたね! ^^ 前回述べた、単結晶シリコン(インゴット、ウェハ)を作る方法が、液相成長に該当します。 水の中に氷がちょっとだけある状態で、温度が0℃より、ちょっとだけ低い温度であるとき、氷がだんだん太っていきます。 学校で、濃い食塩水を冷暗所で静かにおいておくと、直方体の形状の食塩の結晶ができるのを習いましたか? それも、液相成長の一例です。 一方、気相成長というのは、ガスの分子が固体に触れたとき、そのガス分子が固体になってくっつくというものです。 シリコンウェハ(基板)よりも上に多結晶シリコンの層を作りたいときに用います。つまり、LSIの製造工程で使われえます。 CVD(Chemical Vapor Depositon = 化学的蒸着)と呼ばれます。 雪が降ってくるようなイメージのCVDもあります。 また、液晶ディスプレイに用いられているTFT(薄膜トランジスタ)のボディはアモルファスシリコンです。 液晶ディスプレイのパネルの基板はガラスですから、ガラスが融けてしまうような高温ではなく、わりと低い温度でシリコンを成長させる必要があります。 そこで、「プラズマCVD」という方法で、シリコンを成長させます。 これも、気相成長の一種です。 プラズマは微視的に見れば高温ですが、全体の温度は低いわけです。 ちなみに、本来高温で行うべきところを低温で「無理矢理」成長するので、アモルファスになってしまうのです。 以上、ご参考になりましたら。