トランジスタのVbeとVbe(sat)

質問

トランジスタの順方向電圧Vbeとベース・エミッタ間飽和電圧Vbe(sat)は同じ意味ですか？

SC1815のデータシートを見てもVbe(sat)はあっても順方向電圧のVbeについては記載がされていないのでいろいろなサイトで説明してる順方向電圧(0.7Vと説明)とベース・エミッタ間飽和電圧Vbe(sat)が同じなのか迷ってます

また同じだとするならばデータシートではTypには記載がなくMax1.0Vと有るのですが、この0.7Vというのはどこから来たのでしょうか？

よろしくおねがいします

回答No.5

ohkawa3 · ベストアンサー

VBEは、ベース・エミッタ間電圧を表しますが、そのトランジスタがどのような動作状態にあるかを規定しないので、その電圧に標準値はありません。
VBE(sat)は、トランジスタが完全にON状態の動作条件となるように、ベース電流とコレクタ電流の関係（例えばIB：IC=1：10）におけるベース・エミッタ間電圧を表します。

順方向電圧(0.7Vと説明)とあるのは、シリコン半導体のp-n接合に順方向に電流を流した場合の一般値です。
シリコンダイオードであっても、シリコントランジスタのベース・エミッタ間であっても、順方向電流が流れている場合には、0.7V程度にであることが一般的ということとご理解ください。

ご存知の通り、トランジスタにコレクタ電流を流すためには、ベース・エミッタ間を順方向のベース電流で起動する必要があります。大きなコレクタ電流を流すと、エミッタ領域での電圧降下が増えるので、一定のベース電流を流すにには、コレクタ電流が小さい場合に比べて大きなベース・エミッタ間電圧を加える必要があります。VBE(sat)の最大値は、確実にトランジスタをＯＮするための駆動回路を設計するための指標です。

手持ちの2SC1815のVBE(sat)を測ってみたら、0.795V程度でした。（IB＝10mA，IC＝100mA）
コレクタ電流を流さない状態のVBEは、ベース電流に応じて次のような測定結果でした。
　　　　IB(ｍA)　　VBE(V)
　　　　　10　　　　0.715
　　　　　 1　　　　0.629
　　　　　 0.1　　　0.557
　　　　 0.01　　　0.491
参考にして頂けてら幸いです。

参考URL：

http://akizukidenshi.com/download/2sc1815-gr.pdf

お礼

回答ありがとうございました。

回答No.4

by_plus

ANo.3です。
また間違えた。
0.7Vの件は、データシートのIB – VBEのグラフか

お礼

回答ありがとうございました。

回答No.3

by_plus

ANo.1さんが正解で ANo.2さんのは違いますね。
Max1.0Vは、エミッタ・ベース間に最大電圧を掛けて
最大電流流しても1.0Vまでしか電圧降下しませんよと言うこと
0.7Vの件は、データシートのVBE (sat) – Icのグラフを見ると
上記の件と合わせて分かると思います。

http://akizukidenshi.com/download/2sc1815-gr.pdf

お礼

回答ありがとうございました。

回答No.2

kuro804

たぶん、ＭＡＸ値なので１．０Ｖ以上はベース・エミッター間に加えるな！
という意味合いでしょう。

お礼

回答ありがとうございました。

回答No.1

cwdecoder

Vbeはベースエミッタ間にかかる電圧です。使用状況によって変化するので０Vの場合も有り得ますよね？

ベースエミッタ間飽和電圧VBE(sat)は、トランジスタをスイッチング用途などでオーバードライブ動作させる時の設計に必要となる値で概ね0.6V～0.7Vです。

お礼

回答ありがとうございました。