半導体のMOS Tr.のC-V曲線の読み方について

質問

半導体のMOS Tr.のC-V曲線の読み方について教えて下さい。

MOS Tr.を開発/評価するときに、C-V曲線を測定しますが、
その読み方/評価の仕方がよく判りません。

C-V曲線からどのような特性が読み取れるのでしょうか？
また、測定はLCRメーターで測定するのでしょうか？

NMOSを例に、判りやすく具体的に教えて下さると助かります。

よろしくお願いします。

回答No.1

TIGANS

＞NMOSを例に、判りやすく具体的に教えて下さると助かります。
そう思うのでしたら、
書籍などを購入されたほうがいいです。身銭を切らないと頭に入りませんよ。

QAサイトでは最初の足がかりを教えてもらって、そこからは自分で勉強するものでは？
そうしないと自分の知識として根付きません。それでは回答自体も無駄になりますよね。

とりあえずは、ここを読んでください。
https://www.keysight.com/upload/cmc_upload/All/BasicOfCV_mgmt.pdf
people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_4/pdfs/6.152J.FT01.MOSCap01.pdf

C-V曲線で何が判るかと言うと
印加電圧によりゲート下が、導電層なのか（ゲート絶縁層の容量、材質がわかっていれば厚さ）、空乏層なのか、反転層なのか、基板上下方向の不純物拡散プロファイルがどうなっているのか　など
MOSのゲート絶縁膜の下の情報がいろいろ判ります。