KOHを用いたSiエッチングについて

質問

KOHにおける、シリコン（Si）と熱酸化膜（SiO2）のエッチング選択比は、100：1というのを聞きました。
たとえばSiのエッチングレートは上げて、逆にSiO2のエッチングレートは下げたい（選択比を変えたい）場合、有効な手法はありますか？
KOHの濃度、温度を変えるとよいのでしょうか？

ご回答、宜しくお願い致します。

回答No.3

noname#230359

太陽電池プロセスなら、選択比は？ですが、
温度と、添加剤（はなぐすり）、**OHを前処理で使用している例を
知っています。

プロセスの専門家ではありませんので、その真意は？？です。

ウエハのリサイクルでも…

回答No.2

noname#230359

半導体関連の業種では、良く視るスペックですが、多分情報が出てくる確率は
低いと思います。

貴社へ納入している薬品メーカー等に相談した方が早道と考えます。
プロセスのノウハウですから、飯の種ですから。

回答No.1

noname#230359

SiO2の膜厚を変えて、選択比100：1にするか、
選択比の異なる水酸化溶液を使用するか、
自信はありませんが、H2O2若しくは03を使用する？？
を検討下さい。

お礼

私の質問の言葉が足りなかったので恐縮なのですが、KOH前提で、SiとSiO2のエッチング選択比を100以上にしたいと考えております。
お忙しいところ、ご回答いただきましてありがとうございました。