トランジスタについて教えてください

質問

１.バイアスについて
　固定、自己、電流帰還バイアスがありますが、それぞれの長所と短所をお教え願います。

２．温度によって、トランジスタのHfeがばらつくと聞きましたが、トランジスタの何が原因なのでしょうか？

宜しくお願いします。

回答No.4

mtld

No.3　ではもう少し解説を

固定バイアス法はHfeのバラツキを考えますと量産品には使えません　見た事ありません
バラツキの為に動作点がバラバラで出力が歪んだりします
又温度安定度が悪い為に同様な現象が起こり実用に耐えません　利得もバラツキます　実験や試作用です

その点自己バイアス法は負帰還回路となっている為自動補正されますので出力レベルを大きく取らない限り量産品に使えますので従来から使われて来ました　
利得は小さくなりますがバラツキも負帰還の為に小さくなります

同じコストで量産品に使えるかどうか　これは大変な違いです。

回答No.3

mtld

固定バイアス
部品が少ない、温度安定度悪、入力インピーダンス中

自己バイアス
部品が少ない、温度安定度中、入力インピーダンス低

電流帰還バイアス
部品が多い、温度安定度良、入力インピーダンス高

一般に入力インピーダンスが高い方が使いやすい
Hfeのバラツキは製造上の問題で３～５倍位あります　バラツキはなんにでもあります　トランジスタは大きすぎる様に思いますが　もう少し小さくして欲しいものです
Hfeの温度係数は約１％/℃　で変化範囲が１０～４０℃なら約３０％変化します　原因は半導体の特性です　詳しくは専門書で

お礼

ご返答ありがとうございました。
でも、自己バイアスって可もなく不可もなくなんですね。具体的に、欠点ってあるんですかね？
入力インピーダンスが低いということ以外に。

ありがとうございました。

回答No.2

sailor

バイアス回路については先にお答えの方が参考として載せているＵＲＬに説明がありますのでそちらにお任せします。

温度特性についてはトランジスタに限らず半導体素子全般にいえることです。一般の金属でもそうですが半導体は温度によってその比抵抗値などが変わります。一般の金属よりもこの特性が大きいのです。この特性を積極的に利用したのがサーミスタなどのセンサーやＰＴＣヒーターなどですが、素子の特性が変わるのは素子を構成している材料自体の性質であるともいえます。また、ＰＮの接合面ではゼーベック効果などによ熱起電力などが生じることも一因です。

お礼

温度によって特性が変化するって言うのは、半導体ではあたりまえのようですね。

ありがとうございました。

回答No.1

hironyan777

下記サイトなどが参考になるかと思いますがいかがでしょう。

参考URL：

http://www.aizu-it.com/ham/jikken/tr/bias/tr_bias1.html

補足

参考のサイトありがとうございます。
でも、動作原理などは、理解できたのですが、具体的に、固定バイアス、自己バイアス、電流帰還バイアス回路の長所、短所が知りたかったです。